Industry

Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构

Samsung Electronics在FMS 2026首次面向行业展示下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O，并公开400层以上V10 BV-NAND。公司表示，zHBM通过垂直堆叠缩短数据传输路径，采用zHBM的下一代接口系统性能最高可达HBM5的8倍，能效最高提升至3倍。

AI & Enterprise

KT携手DeepX、Sesol开发基于NPU的AI Edge Box，加码端侧AI市场

KT宣布与AI芯片企业DeepX、交通及商用车终端企业Sesol达成三方合作，将共同开发搭载低功耗、低发热NPU的下一代AI Edge Box。该产品将率先应用于EV充电站、移动式CCTV以及公交和商用车等需要实时视频分析的场景，KT也将借此进一步扩大端侧AIoT业务布局。