AI & Enterprise

KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”

KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区，提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜（AFM）在纳米尺度验证了电荷传输过程，并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻，并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。

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KAIST研发二维半导体自动筛选技术：显微镜图像即可完成样品筛选并对接晶体管制备

KAIST联合UNIST等机构开发出一套二维半导体自动化筛选流程，可利用光学显微镜图像中的RGB亮度差异识别MoS2薄片厚度，并自动完成电极设计。经AFM验证，该技术可区分3层到8层MoS2薄片的厚度差异，已从逾12万片薄片中筛选目标样品，并制备、分析1615个晶体管，证实了厚度与电学性能之间的关系。