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Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV

Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”，将推进12英寸光掩膜联合开发，并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本，同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。

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AMAT：AI芯片瓶颈不在算力，在数据移动，3D微缩成关键路径

AMAT表示，AI芯片性能提升的关键已不只是算力，更在于数据移动效率。面对“内存墙”带来的系统瓶颈，行业正围绕逻辑、DRAM、HBM及2.5D/3D封装全面推进3D微缩，并推动HBM堆叠由微凸点向混合键合演进。公司同时公布，2026财年第三财季营收为91.2亿美元，同比增长25%。