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韩国IBS实现原子级选择性置换 在单层薄膜上集成多种功能的二维晶体管

韩国科学技术信息通信部16日表示，基础科学研究院（IBS）研究团队开发出二维半导体原子选择性置换工艺，在WSe₂薄膜中通过置换硒原子，在同一薄膜内原位形成绝缘体、半导体和准金属，并据此制备出晶体管。该器件室温亚阈值摆幅为61.3mV，开关比超过1000万，相关成果已发表于《Science》。

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Applied Materials与Intel联手推进EPIC中心合作，提速晶体管、互连与先进封装研发

Applied Materials与Intel宣布，将在硅谷EPIC中心和俄勒冈州Hillsboro的Intel研发园区开展协同研发，重点布局先进逻辑节点所需的新一代材料、工艺技术和器件结构。合作范围涵盖晶体管前道工艺FEOL、互连后道工艺BEOL、互连微缩，以及基于Foveros的先进封装技术，目标是提升面向Agentic AI工作负载的平台性能、供电效率和散热能力。