韩国研究团队在下一代低功耗、高密度存储技术方面取得新进展，为AI和数据中心时代的内存演进提供了新的技术思路。
韩国电子通信研究院（ETRI）4月14日表示，已实现一种无需单独电容也能稳定存储数据的下一代DRAM结构。
据介绍，研究团队基于显示领域常用的氧化物半导体薄膜晶体管（TFT），开发出“2T0C（2-Transistor-0-Capacitor）”DRAM结构。ETRI表示，这种被称为“无电容DRAM”的新型存储方式，有望为AI和数据中心计算环境下的内存技术发展提供新方向。
传统DRAM通常采用“1T1C”结构，即由1个晶体管和1个电容组成，并依靠电容存储电荷。目前商用DRAM大多沿用这一架构。但随着半导体制程持续微缩，电容实现难度不断上升，工艺复杂度和功耗也随之增加。
为解决这一问题，研究团队将重点放在漏电流更低、电荷保持能力更强的氧化物半导体上。具体来看，团队采用掺铝铟锡锌氧化物（ITZO），并利用一氧化二氮（N2O）等离子工艺调控器件内部缺陷状态，以降低漏电流；同时优化读取晶体管的沟道宽长比（W/L），进一步减少存储电荷流失。
实验结果显示，该结构的数据保持时间超过1000秒；用于区分“0”和“1”的存储窗口也提升约13倍，表明其数据保持能力和读取稳定性均明显增强。
ETRI柔性电子器件研究室博士Nam Su-ji表示，研究结果证明，已在显示领域实现成熟应用的氧化物半导体技术，同样可以拓展至下一代存储器件，未来有望在三维半导体集成和低功耗计算系统中发挥重要作用。
此次研究由UST（科学技术联合研究生院）ETRI校区一名硕士研究生担任第一作者，项目获得韩国产业通商资源部“无机发光显示技术开发项目”和“ETRI新概念前沿研究项目”支持。
记者信息
Jin-ho Lee
jhlee26@d-today.co.kr