图为Applied Materials此次发布的PECVD系统和ALD系统。图片来源：Applied Materials

Applied Materials于4月14日发布两款面向2nm及以下GAA（Gate-All-Around，环绕栅）晶体管制程的沉积系统。随着AI计算需求持续增长，半导体行业正加快向能效更高的GAA架构演进。Applied Materials表示，GAA晶体管内部三维结构的成形通常涉及500多道工序，其中不少步骤的工艺容差已接近原子级。

此次推出的两套系统分别对应GAA制程中的不同关键步骤，并将直接影响芯片性能与功耗表现。其中，Producer Precision选择性氮化膜 PECVD（等离子体增强化学气相沉积）系统主要用于保护承担相邻晶体管电隔离作用的浅沟槽隔离（STI）结构。该系统采用选择性自下而上的沉积方式，在绝缘沟槽内形成氮化硅薄膜，以减少后续工艺对绝缘材料的损伤，并通过降低寄生电容提升芯片的每瓦性能。

另一款Endura Trillium ALD（原子层沉积）系统则用于对金属栅堆叠进行原子级均匀控制。GAA晶体管的栅极堆叠需要对以10nm间距排列的多层水平纳米片实现全包覆。该系统将多道金属沉积步骤整合到单一平台之上，可灵活调节单个晶体管的阈值电压，并新增对适用于GAA结构的功函数金属和偶极材料的沉积能力。

Applied Materials半导体产品集团（SPG）总裁Prabu Raja表示，半导体产业正进入快速且非线性演进阶段，单靠传统光刻推动的芯片微缩已接近极限；在埃米级先进逻辑节点，性能和能效的提升将越来越取决于材料创新。

他还表示，新发布的沉积系统依托Applied Materials在材料工程领域的能力，将帮助客户完成关键晶体管技术转型，并为AI计算路线图提供支持。

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