写真=SK hynix。米ニューヨークのナスダック・マーケットサイトで開かれたオープニングベルセレモニーで、チェ・テウォンSKグループ会長、クァク・ノジョンSK hynix CEO、コ・スンボムSK hynix社外取締役兼取締役会議長が打鐘した

SK hynixは29日、2026年4〜6月期決算を発表し、売上高は79兆3187億ウォン、営業利益は60兆5426億ウォンだった。前年同期比では売上高が256.8%増、営業利益が557.2%増となり、営業利益率は76%に達した。

同社は前四半期に続き、四半期ベースで過去最高を更新した。2026年上期の売上高は131兆8950億ウォンとなり、半期ベースで初めて100兆ウォンを超えた。営業利益は累計で98兆1529億ウォンと、前年同期の16兆6534億ウォンから489.4%増えた。

業績を押し上げたのは、DRAMとNANDの価格上昇に加え、高帯域幅メモリ(HBM)、AIサーバー向けDRAM、eSSD(企業向けSSD)など高付加価値製品の販売拡大だ。会社側は、こうした製品ミックスの改善が収益性の向上につながったと説明した。

4〜6月期末の現金性資産は88兆ウォンで、前四半期末から33兆6000億ウォン増加した。借入金は7000億ウォン減の18兆6000億ウォン。純現金は69兆4000億ウォンに拡大した。

今後の需要環境について同社は、AIがエージェント型へ進化する中でメモリ需要の裾野が広がっていると分析した。AI向けメモリに加え、汎用メモリの需要も同時に拡大する構造変化が進んでいるとの見方を示した。

さらに、ビッグテック各社のAIインフラ投資拡大を背景に、追加供給の要請も相次いでいるという。同社は、こうした投資がAIサービスの収益を基盤に進められている点を踏まえ、メモリ需要の成長基調は今後も続くと見ている。

SK hynixは、主要顧客を含む約10社と長期供給契約(LTA)に関する交渉を完了した。業界の主要顧客との追加協議も続けている。複数年契約を通じて運営効率を高めるとともに、中長期の事業安定性と成長基盤の強化を図る方針だ。

HBM4については、顧客が求める動作速度に加え、業界最高水準の電力効率とコスト競争力を備えたと説明した。4〜6月期に量産出荷を開始しており、下期には生産を本格的に拡大する。上期にサンプル供給を終えたHBM4Eには、技術成熟度と量産安定性を踏まえた最適プロセスを適用したとしている。

NANDでは、321層製品が生産全体に占める比率で最大となった。年末までに国内生産能力の50%水準まで拡大する計画だ。先端プロセスへの移行を加速し、高容量・高性能製品を軸にポートフォリオを強化する。

設備投資では、M15Xの量産スケジュールを前倒しする。2027年初めに予定する竜仁1期ファブのクリーンルーム開設後には、生産能力を迅速に拡大できるよう投資を進める。先端パッケージング工場P&T7、NAND生産拠点M17、新規半導体クラスター造成などの中長期投資計画については、顧客需要と投資効率を見極めながら段階的に推進する方針だ。

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