Samsung ElectronicsとSK hynixは2日、忠清圏で大規模な投資計画を発表した。投資額はSamsungが約140兆ウォン、SK hynixが100兆ウォンで、合計は240兆ウォンに上る。SK hynixはNANDフラッシュの増産と先端パッケージング強化を柱に据え、メモリー需要の拡大に対応する。

両社は同日、忠清南道アサンのSamsung Displayアサンキャンパスで開かれた「忠清圏先端産業発展ビジョン国民報告会」で計画を公表した。Samsungは忠清圏を素材・部品の拠点として、SK hynixは清州をメモリー半導体の中核拠点として育成する構想を示した。

Samsungは、最先端ディスプレイ、高帯域幅メモリー（HBM）ファブ、次世代電池、人工知能（AI）サーバー向けパッケージ基板を次世代の成長分野と位置付け、これらを中心に約140兆ウォンを投資するとした。忠清圏の素材・部品拠点化を進め、25万件の雇用創出も目指す。

投資はグループ各社が分担する。Samsung Electronicsは温陽でHBMファブ5ラインに投資し、天安ではHBM対応設備の増設と近代化を進める。Samsung Displayはアサンで、スマートフォンやIT向けに加え、XR、車載、ヒューマノイド、ウェアラブル向けの高付加価値OLEDラインを増設する。Samsung SDIは天安に次世代電池技術を検証するマザーラインを構築し、検証済み技術をグローバル展開する基盤を整える。Samsung Electro-Mechanicsは世宗でAIサーバー向けパッケージ基板の設備を拡充し、要素技術の研究開発（R&D）と人材育成に取り組む。

一方、SK hynixは清州に100兆ウォンを集中投資する。クァク・ノジョンSK hynix代表取締役社長は、「NANDを生産するM17に80兆ウォン、先端パッケージング強化に向けたP&T7などに20兆ウォンを投資する計画だ」と述べたうえで、「清州を韓国のメモリー半導体産業の競争力をけん引する中核拠点に位置付ける」と強調した。

背景にはNAND需要の拡大がある。クァク社長は、「NAND需要が急増する一方で供給が不足しており、一定規模の能力増強が必要になった」と説明。「清州はNANDファブを最も迅速かつ効率的に建設できる拠点だ」と述べた。AIサービスの本格普及に伴い、HBMやサーバーDRAMに加え、エンタープライズSSDやNANDの需要も拡大しているという。さらに、エージェンティックAIやフィジカルAIの導入が進めば、NANDの適用分野と需要は一段と広がるとの見通しを示した。

投資スケジュールも明らかにした。M17ファブは2027年に着工し、2029年上半期の稼働を目指す。P&T7は2027年末の完成を予定し、完成後は先端パッケージングを担う。SK hynixは、清州について既存ファブとの接続による高い生産効率に加え、用地、電力、用水などのインフラが相当程度整っており、即時着工が可能な点を選定理由に挙げた。

SKグループは半導体生産拠点の整備とあわせ、AIデータセンターのインフラ拡充も進める。まず5GW規模を起点に、全国で15GW規模のデータセンターを段階的に構築し、このうち忠清圏に1GW規模を配置する計画だ。半導体生産とAIコンピューティングが連動する産業エコシステムを同地域に形成する考えだ。

今回の発表により、忠清圏ではHBM、NAND、先端パッケージング、電池、基板を含むメモリー・素材部品分野の集積が進む見通しだ。クァク社長は「忠清圏をグローバルAIイノベーションの中心に育てていく」と述べた。