Samsung Electronicsは5月29日、HBM4E 12段サンプルをグローバル顧客に初めて出荷したと発表した。2月にHBM4を世界で初めて量産出荷したのに続く動きで、次世代HBMの製品展開を加速する。

HBM4Eは、ピン当たりの標準動作速度が14Gbpsで、最大16Gbpsまで対応する。前世代比で20％以上の性能向上に当たり、単一スタック当たり毎秒3.6TBの帯域幅を実現する。量産供給は顧客の開発日程に合わせて進める方針だ。

容量は12段品で48GBとし、前世代比で30％以上拡大した。今後は32GBの8段品、64GBの16段品もラインアップに加える計画としている。

同社によると、エネルギー効率は前世代比で16％、熱抵抗特性は14％以上改善した。低消費電力設計に加え、パッケージ構造の最適化技術を適用したことが寄与したという。

今回の製品には、HBM4ですでに採用した1c（10ナノ級第6世代）DRAMと、同社ファウンドリの4ナノロジックダイを組み合わせた。同一構成はHBM4の量産工程で検証済みで、量産移行を見据えやすい設計だとしている。同社は、工程の安定性と歩留まりの両立を図った構造だと説明した。

Samsung Electronicsは2月にHBM4の量産出荷を始めており、現在は顧客向けの供給を拡大している。2025年12月には、最終認証段階のシステム・イン・パッケージ（SiP）テストで11.7Gbpsを記録し、最高等級の評価を得たとしている。

HBM4については、グローバル顧客から速度と電力効率の両面で前向きな評価を得ているという。

同社は今後、メモリ、ファウンドリ、System LSI、先端パッケージングを横断するワンストップのターンキーソリューションを基盤に、供給の安定性を確保していく方針だ。

メモリ事業部で開発を担当するファン・サンジュン副社長は、「HBM4の量産に続き、次世代HBM4Eのサンプル供給まで進めたことで、Samsung Electronicsの技術競争力を改めて示すことができた」とコメントした。

その上で、「技術力の優位性と先行的な生産インフラ投資を基に、グローバルAIメモリ市場の成長を主導していく」と述べた。