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CXMT市值超越Intel，扩产与HBM成下一阶段看点

据香港《南华早报》援引Nomura报告，CXMT有望借助持续扩产，将全球DRAM市场份额从目前约10%提升至2028年末的约18%。不过，公司目前收入仍主要来自通用型DRAM，HBM业务尚未形成收入贡献；能否实现HBM3量产并通过客户认证，将成为其缩小与国际龙头差距的关键。

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JEDEC上调HBM4封装厚度上限，Samsung Electronics与SK hynix重估HBM4混合键合导入时点

JEDEC将HBM4封装厚度上限从720μm上调至约775μm，为16层HBM4堆叠新增55μm空间，也使“HBM4必须导入混合键合”的行业判断出现变化。SK hynix更倾向继续沿用并升级MR-MUF工艺，以优先确保良率；Samsung Electronics则重新评估率先导入混合键合的必要性。受此影响，供应链中混合键合设备导入节奏有所后移，既有封装工艺及晶圆测试等检测设备订单则出现前置迹象。