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Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV
Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”,将推进12英寸光掩膜联合开发,并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本,同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。
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韩国半导体扩产推高用水需求 超纯水与回用设施成投资前置条件
随着韩国半导体晶圆厂扩产加快,配套用水基础设施需求持续上升,项目选址能否获得稳定供水正成为资本开支落地前的关键条件。与此同时,EUV等先进工艺推进,带动超纯水消耗和废水回用需求同步增长,ZLD及一体化水处理系统的应用也在提速。
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Yuanjiwei发布2D半导体8英寸试产线规划:2029年前瞄准不依赖EUV设备实现5nm级性能
总部位于上海的半导体初创企业Yuanjiwei日前发布2D半导体8英寸试产线规划,称该产线覆盖2D材料制备、芯片集成到流片全流程,并提出到2029年实现不依赖EUV设备、性能达到5nm级的全国产工艺路线。
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ASML开始交付4亿美元High-NA EUV光刻机,Intel率先导入
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美方称ASML EUV相关部件或已进入中国,ASML否认中国境内存在整机
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PRINANO称无需ASML DUV即可制造8英寸光子芯片晶圆,成本降至约十分之一
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美国国会提出MATCH法案 剑指ASML浸没式DUV对华出口
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SK hynix启动赴美ADR上市 拟为HBM扩产储备资金
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SK hynix拟向ASML Korea采购EUV设备合同 金额约12万亿韩元
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Tesla拟建“Terafab”芯片工厂瞄准2nm,制造能力引发质疑
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ASML Korea启用华城全球培训中心,年培训规模达4000人