Tesla正推动一项名为“Terafab”的大型芯片工厂计划，拟为自动驾驶和AI业务建立自有芯片制造能力。随着项目细节陆续曝光，这一布局迅速引发业内关注。

据Business Insider当地时间3月16日报道，Tesla CEO Elon Musk近日在社交媒体发文称，公司芯片工厂项目将在7天内启动。据其说法，该项目目标指向基于2纳米（2nm）制程的先进芯片制造。

不过，在几乎缺乏半导体制造经验的情况下直接切入先进制程，Tesla这一计划也引发了外界对可行性的普遍质疑。

不少业内人士将该项目与Tesla在2020年“Battery Day”上公布的自研电池路线相比较。当时，Tesla推出下一代4680电池，并提出到2022年前建成年产100GWh产能、将电池成本降低56%的目标。

但此后项目推进进度明显低于预期。按照行业估算，截至2025年初，Tesla的4680电池年产能约为20GWh。被视为关键环节的干法电极工艺开发难度也高于预期，目前仅在正极环节有限应用，负极仍主要依赖传统湿法工艺。

与此同时，Battery Day上强调的性能提升也未能如期兑现。4680电池一度主要用于Tesla Cybertruck，商业化表现未达预期。其后，电池供应链也出现波动，部分供应商大幅缩减合作规模。

相比制造端，Tesla在芯片设计方面曾取得一定进展。公司先后开发了定制化自动驾驶芯片，以及用于AI训练的Dojo系统，逐步建立起自研芯片设计能力。在这一过程中，知名芯片设计师Jim Keller和前Apple工程师Peter Bannon等人曾发挥关键作用。

但近年来，Tesla相关核心人才相继离开。Jim Keller已于2018年离职，负责Dojo项目的Ganesh Venkataramanan也在2023年离开公司。此后，Musk又于2025年叫停Dojo项目，核心设计负责人Peter Bannon也已离任。

需要指出的是，芯片设计与芯片制造属于两套截然不同的专业体系。光刻、刻蚀、化学机械平坦化、良率控制以及EUV设备运维等环节，都高度依赖长期积累的工艺经验和大量专业工程师。外界普遍认为，Tesla在这些方面的储备明显不足。

Musk本人的相关表态也进一步加剧了争议。他曾批评芯片工厂的洁净室标准，并表示希望建设一座“可以吃芝士汉堡、抽雪茄的工厂”。

这一说法随即引发部分业内人士质疑，认为其可能低估了半导体制造的复杂性。业内指出，先进芯片工厂通常需要在ISO 1至ISO 3级的超高洁净环境下运行，即便是人员呼吸，也可能带来大量污染颗粒，对制程稳定性造成影响。

NVIDIA CEO Jensen Huang也曾谈及先进制程制造的高门槛。他在2025年的一场活动中表示，建立先进芯片制造能力“极其困难”，这不仅是建厂问题，更涉及长期的技术沉淀和经验积累；若要追赶TSMC的制造能力，“几乎不可能”。

从产业格局看，先进芯片量产至今仍是少数企业才能进入的领域。TSMC经过数十年、投入数百亿美元，才建立起全球领先的晶圆代工能力；Intel即便投入数千名工程师和超过1000亿美元资金，至今仍在努力恢复制造竞争力；Samsung Electronics同样持续重金投入，但在先进工艺良率方面仍未追上TSMC。

在这一背景下，缺乏制造经验的Tesla试图建设2nm先进制程工厂，在业内看来无疑是一项极具挑战的目标。也有观点认为，Tesla这次或许会重走4680电池项目的老路：先抛出激进目标，随后再面临延期与预期下修的压力。