随着HBM需求持续攀升，SK hynix正加快扩产步伐，并着手为大规模资本开支储备资金。公司近日启动赴美ADR上市程序，募集资金拟用于存储器产线建设及设备投资。结合已披露的扩产计划、潜在融资以及后续研发支出，市场预计其整体投入规模可能超过100万亿韩元。

SK hynix已正式启动美国存托凭证（ADR）上市流程。公司于24日以保密方式向美国证券交易委员会（SEC）提交Form F-1注册申请文件。公司CEO Kwak No-jung在25日召开的股东大会上表示，目标是在今年下半年完成上市，所募资金将用于存储器设备投资。

推动ADR上市的直接背景，是迅速扩大的投资需求。SK hynix近期相继敲定多项重大投资，包括清州M15X前道厂投资20万亿韩元、P&T7后道厂投资19万亿韩元、龙仁半导体集群一期工厂投资31万亿韩元，以及与ASML签署、规模约12万亿韩元的EUV设备采购合同。仅按已公开金额计算，上述项目合计已达82万亿韩元。

在此基础上，市场普遍预计，ADR发行募资规模可能在10万亿至15万亿韩元之间；若再叠加龙仁工厂公告中单列的设备导入费用以及研发投入，总规模有望超过100万亿韩元。若考虑公司对HBM市场到2030年年均增长33%的判断，后续投资规模仍可能继续扩大。

与大规模投资计划同步提出的，还有更为积极的财务目标。Kwak No-jung当天在股东大会上表示，公司中长期目标是实现“净现金超过100万亿韩元”。截至2025年年底，SK hynix净现金为12.7万亿韩元，而2024年年底仍为8.5万亿韩元净负债，这意味着公司在一年内已由净负债转为净现金。同期，资产负债率也由64%降至46%。

不过，面对后续庞大的投资需求，公司认为现有现金水平仍不足以支撑长期战略。Kwak No-jung表示，即便未来再度出现类似以往的行业下行周期，公司也必须持续投资、维持增长势头；充足现金既是支撑未来增长的战略资产，也是应对市场不确定性的“保险”。

在产能建设方面，SK hynix也在提前推进关键项目进度。龙仁一期工厂首个无尘室投用时间已由原计划的2027年5月提前至同年2月；M15X无尘室的投用时间也较原计划提前至2025年10月。P&T7则计划于2026年4月开工，并以2027年年底完工为目标。

公司加快扩产节奏，与近期业绩改善及需求变化密切相关。SK hynix表示，去年HBM营收同比增逾两倍；去年第四季度，DRAM ASP环比上涨至20%区间中段，NAND ASP环比上涨至30%区间低段。Kwak No-jung称，随着AI基础设施建设和端侧AI加速普及，除HBM外，AI DRAM和AI NAND需求也将同步增长。

◆新股发行方式引发争议，公司称规模和方案尚未敲定

围绕“净现金100万亿韩元”目标，部分股东担忧公司股东回报可能因此被削弱。对此，Kwak No-jung回应称，这“只是顺序问题”。按照公司的逻辑，只有先积累足够现金，未来才有能力实施更大规模分红和库存股注销。Kwak No-jung还表示，2025年股东大会召开时公司股价为20.7万韩元，而2026年已超过100万韩元；在当前阶段，最关键的仍是及时推进投资和技术开发。

公司同时披露，去年已实施包括每股1500韩元特别股息、以及规模约12.24万亿韩元的库存股注销在内的股东回报计划，整体规模达到14万亿韩元级别。

不过，若最终采取新股发行方式，仍可能引发股东反弹。韩国企业治理论坛表示，在自由现金流充裕的情况下，反对会稀释现有股东持股比例的新股发行，并提出“先回购公司股票、再推进赴美上市”的替代方案。

目前，ADR发行的具体规模和方式尚未最终确定，Kwak No-jung也在股东大会上再次予以确认。SK hynix CFO Kim Woo-hyun此前在业绩电话会上表示，预计2026年CAPEX将较上年明显增加。尽管融资方式仍存争议，但公司立场明确：不能放慢投资节奏。