中国半导体设备企业PRINANO宣布，已在无需荷兰ASML深紫外（DUV）光刻设备的情况下完成光子芯片晶圆制造。在美国与荷兰持续收紧先进光刻设备出口限制的背景下，这一进展被视为中国半导体产业探索替代性工艺路径的最新案例。

据GigaZine当地时间6月10日报道，PRINANO表示，公司已利用自研纳米压印光刻（NIL）技术完成8英寸光子芯片晶圆制造。

PRINANO在6月5日发布于微信公众号的资料中称，面向光通信与LiDAR应用的光子芯片，已可在不依赖DUV光刻设备的前提下实现晶圆级生产；与现有方案相比，制造成本可降至约十分之一。

这一消息之所以受到关注，主要在于中国半导体产业当前仍面临设备出口管制压力。眼下，高端光刻机领域的DUV和极紫外（EUV）设备市场几乎由ASML主导。受美国对华技术限制政策影响，荷兰政府也对相关设备对华出口实施限制。

在此背景下，中国企业获取先进半导体制造关键设备的难度持续上升，开发替代工艺也因此成为行业关注重点。

PRINANO此次采用的核心技术是纳米压印光刻。与传统光刻通过曝光将图形转移至晶圆不同，NIL是将带有纳米级图形的模具直接压印到晶圆表面完成图形转移，工艺流程相对简化，同时有望降低设备成本。

PRINANO介绍，此次使用的“PL-AS真空气垫纳米压印光刻”设备可实现10纳米以下分辨率，并已用于光通信和LiDAR相关光子芯片的晶圆级生产。

公司还表示，去年已向客户交付基于NIL的半导体制造设备，意味着相关技术并非停留在研发阶段，而是已进入产业化应用场景。

不过，业内人士也提醒，应对这一进展保持审慎评估。尽管PRINANO重点强调了成本优势，但尚未披露实际生产良率、吞吐量、产能以及量产时间表等关键指标。对于半导体制造而言，相比技术展示，稳定的大规模生产能力才是决定竞争力的核心。

半导体分析机构SemiAnalysis也指出，NIL在部分特定领域或具备成本优势，但要在最先进半导体制造环节替代ASML的EUV设备并不容易。若吞吐量、良率和工艺整合能力等问题无法解决，其商业化竞争力仍难以确立。

事实上，NIL并非中国独有的技术路线。日本Canon、Dai Nippon Printing以及存储企业Kioxia也在联合研究基于NIL的半导体工艺，部分生产现场已开始推进商业化验证。

目前业内更普遍的看法是，NIL短期内难以完全替代先进光刻设备，但在光子芯片、存储等特定领域，仍有望作为补充性技术，用于降低成本并简化工艺。

总体而言，PRINANO此次发布的消息，反映出中国半导体产业在先进设备出口受限背景下正加快推进自研工艺。不过，其实际产业意义仍有待后续更具体的数据披露，尤其是良率、产量和量产时间表等关键指标。