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Applied Materials与Intel联手推进EPIC中心合作，提速晶体管、互连与先进封装研发
Applied Materials与Intel宣布，将在硅谷EPIC中心和俄勒冈州Hillsboro的Intel研发园区开展协同研发，重点布局先进逻辑节点所需的新一代材料、工艺技术和器件结构。合作范围涵盖晶体管前道工艺FEOL、互连后道工艺BEOL、互连微缩，以及基于Foveros的先进封装技术，目标是提升面向Agentic AI工作负载的平台性能、供电效率和散热能力。
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Applied Materials扩大与BESI合作 BESI加入EPIC中心推进先进封装
Applied Materials宣布扩大与BESI的战略合作，BESI将以创新合作伙伴身份加入EPIC中心。双方将围绕先进封装工艺与组装方案展开联合优化，重点面向AI计算与存储架构相关需求，推进下一代3D IC扩展、逻辑与存储集成，以及混合键合、TCB和光子互连等技术研发。
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Applied Materials联手KIOXIA共研面向AI的先进存储技术
KIOXIA将作为创新合作伙伴加入Applied Materials位于硅谷的EPIC中心。双方已启动下一代存储技术联合研究，重点聚焦面向AI应用的高性能、高密度存储，以及多芯片堆叠、堆叠存储封装、芯片间互连和材料工程等领域，目标是提升存储密度与性能。
