搜索关键词 16Gbps
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SK hynix向主要客户送样12层HBM4E
SK hynix宣布,已向主要客户送样面向AI加速器的下一代高性能DRAM——12层HBM4E。该产品较HBM4在性能与能效方面进一步提升,每引脚速率最高达16Gbps,能效提高逾20%。采用Advanced MR-MUF工艺后,12层堆叠容量可达48GB,热阻较HBM4降低约17%。
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Samsung Electronics主打一站式“AI Factory”方案,争取承接TSMC外溢需求
Samsung Electronics正推进整合存储、晶圆代工与封装的“AI Factory”交钥匙方案,试图在TSMC 3nm产能接近满载、先进工艺晶圆价格上调预期升温的背景下,承接客户外溢需求。公司表示,正与多家HPC客户洽谈2nm和4nm项目,部分2nm项目有望很快敲定,但具体客户名单和订单规模仍未披露。
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Samsung Electronics首次向全球客户提供HBM4E 12层样品
Samsung Electronics宣布,已首次向全球客户提供HBM4E 12层产品样品。该产品单引脚速率为14Gbps,最高可达16Gbps,较HBM4提升逾20%;单堆栈带宽最高达3.6TB/s,12层容量为48GB。公司表示,产品在能效和热阻表现上也有所优化,后续将根据客户进度推进量产供货。
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Samsung Electronics与SK hynix HBM4E供样时间拉开差距,量产节点成关键变量
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Samsung Electronics称HBM产能已被预订一空,预计2026年相关营收同比增长3倍以上
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NVIDIA在GTC 2026发布Vera Rubin并公布Groq 3 LPX,AI加速迈向制造、出行与医疗场景
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三星电子敲定2026年三大增长主线:半导体、终端与机器人
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Jensen Huang到访GTC 2026 Samsung Electronics展台,并为HBM4与Groq晶圆签名
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Samsung Electronics在Nvidia GTC 2026首次展示下一代HBM4E芯片实物
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Rambus推出HBM4E内存控制器IP,缓解AI带宽瓶颈