Samsung Electronics在Nvidia GTC 2026上首次展示了下一代HBM4E芯片实物。该公司表示，将于当地时间3月16日至19日参加在美国圣何塞举行的Nvidia GTC，并首次展出基于1c DRAM工艺和自有晶圆代工4nm Base Die开发的HBM4E芯片，以及Base Die晶圆。

据介绍，HBM4E支持16Gbps引脚速率和4.0TB/s带宽。Samsung Electronics表示，这一产品整合了其在存储、逻辑设计、晶圆代工和封装等环节的技术能力，体现了IDM模式下的一体化协同优势。公司还称，HBM4量产过程中积累的1c DRAM工艺经验，以及4nm Base Die设计能力，为HBM4E研发提供了基础。

在封装方面，Samsung Electronics同时公布了HCB（Hybrid Copper Bonding，混合铜键合）技术。与TCB（Thermal Compression Bonding，热压键合）相比，HCB可将热阻降低20%以上，并支持16层以上堆叠。该技术通过铜键合实现芯片间直接互连，更适用于高层堆叠HBM产品。

Samsung Electronics还强调，公司是唯一可为Nvidia下一代Vera Rubin平台提供完整内存与存储产品组合的厂商。展会现场，Samsung Electronics同步展示了面向Rubin GPU的HBM4、面向Vera CPU的SOCAMM2，以及存储产品PM1763。

其中，SOCAMM2是一款基于LPDDR的服务器内存模组，已率先实现量产出货。PM1763则基于PCIe Gen6，被定位为Vera Rubin平台的主存储产品，展台现场还演示了Nvidia SCADA工作负载。

活动第二天，即当地时间17日，Samsung Electronics AI中心负责人Song Yongho将受邀登台发表演讲，阐述公司面向AI基础设施的内存解决方案愿景。

Samsung Electronics相关人士表示，推动“AI工厂”创新，离不开Vera Rubin平台等高性能AI系统支撑。公司将持续提供与之配套的高性能内存解决方案，并将通过与Nvidia的合作推动全球AI基础设施演进。