在美国圣何塞举行的GTC 2026上，Nvidia CEO Jensen Huang到访Samsung Electronics展台，重点查看了从下一代高带宽存储器（HBM）到服务器内存模组、存储产品在内的多项半导体方案。相关展品覆盖Nvidia下一代AI平台所需的核心内存与存储组件。

Samsung Electronics 17日表示，Jensen Huang在Samsung Electronics的HBM4核心Die晶圆上写下“AMAZING HBM4”，并在Groq LPU 4nm晶圆上签下“Groq Super FAST”。其后，他还与Hwang Sangjun、Han Jinman合影。

资料显示，Groq是一家LPU设计公司，专注于面向超低时延token生成的处理器开发。此次GTC期间，Nvidia展示了将Groq LPU与GPU机架结合的LPX机架，并预告将于今年下半年推出。业界据此解读，Samsung Electronics在HBM4供应以及Groq LPU晶圆代工两条业务线上，均已与Nvidia形成合作关联。

除Jensen Huang到访外，Samsung Electronics此次在GTC首次公开的HBM4E，也被视为展台焦点之一。该公司基于1c DRAM工艺和自家4nm晶圆代工技术，首次展示HBM4E实物芯片及核心Die晶圆，目前目标规格为单pin速率16Gbps、带宽4.0TB/s。

同日，Samsung Electronics还同步发布了下一代封装技术——混合铜键合（HCB）。相较现有的热压键合（TCB），HCB可将热阻降低20%以上，并支持16层以上高堆叠。TCB主要通过热与压力实现芯片接合，而HCB则采用铜对铜直接连接方式，以降低发热并提升堆叠上限。Samsung Electronics表示，未来将在HBM4E开发中整合其覆盖内存、逻辑设计、晶圆代工与封装的IDM能力。

瞄准“Vera Rubin”平台，展示完整内存与存储布局

在本届GTC上，Samsung Electronics将面向Nvidia下一代AI平台“Vera Rubin”的整体内存方案置于展台核心位置，并强调其是全球唯一能够为该平台提供完整内存与存储产品组合的厂商。

在展示双方合作内容的“Nvidia Gallery”区域，面向Rubin GPU的HBM4、面向Vera CPU的SOCAMM2，以及存储产品PM1763与Vera Rubin平台一同展出。SOCAMM2是一款基于LPDDR的服务器内存模组，目前已启动业内首批量产出货。

其中，基于PCIe Gen6的服务器SSD PM1763将作为Vera Rubin平台的主要存储方案之一。展台现场还演示了Nvidia SCADA工作负载，以展示该产品的实际运行性能。Samsung Electronics还表示，为提升AI推理性能和能效而引入的CMX平台，计划采用基于PCIe Gen5的PM1753。

除Vera Rubin相关产品外，Samsung Electronics还在本届GTC集中展示了图形内存GDDR7、移动DRAM LPDDR6以及服务器SSD PM9E1等新一代产品，并强调其内存与存储产品线可覆盖从AI数据中心到端侧AI、Physical AI在内的多样化基础设施需求。