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俄罗斯初创公司推出多阴极电子束光刻方案：单片晶圆曝光有望缩至5至7分钟

俄罗斯一支开发团队公布多阴极电子束光刻方案，试图通过并行布置多个电子束发射源提升曝光效率。按其说法，单片晶圆曝光时间有望缩短至约5至7分钟，而传统单束电子束方案完成同等作业可能需要1至2周。不过，现阶段完成验证的仅是核心电子束源，距离整机集成、稳定控制及量产应用仍面临多重挑战。

AI & Enterprise

KAIST研发可按数据变化速度调节响应特性的AI半导体器件

KAIST研究团队研发出可编程动态memtransistor（PDM）及其阵列，通过在单个晶体管中集成电荷存储层与电子俘获层，实现根据数据变化快慢匹配响应特性。实验显示，该器件恢复时间可在约5倍范围内调节、频率响应特性调节幅度超过10倍，在时序数据预测中误差最高可降至原来的1/40，并具备非易失性和CMOS工艺兼容性。