Samsung ElectronicsとSKグループが、半導体の生産・投資拠点を西南圏へ広げる。Samsung Electronicsは西南圏を第2の半導体生産拠点と位置付け、メモリ工場（ファブ）4基の建設を検討する。SKグループはAIデータセンターと半導体供給拡大に計2100兆ウォンを投じる方針を示し、このうち西南圏の新クラスターに400兆ウォンを充てる計画だ。AI需要の急拡大に伴うメモリ不足が、大規模投資の背景にある。

イ・ジェヨンSamsung Electronics会長とチェ・テウォンSKグループ会長は29日、大統領府で開かれた「大韓民国大跳躍 3大メガプロジェクト国民報告会」で、それぞれの地方投資計画を発表した。会場にはチョン・ヨンヒョンSamsung Electronics副会長兼DS部門長、クァク・ノジョンSK hynix CEOらも同席した。

◆Samsung Electronics、西南圏にメモリ工場4基を検討　候補地は光州

イ・ジェヨン会長は、西南圏の新拠点候補として光州を検討していると明らかにした。器興、華城、平沢に続き、竜仁国家産業団地への投資日程が前倒しになったことで、新たな団地整備の時期も早まったと説明した。

そのうえで、電力や工業用水、人材確保などのインフラ条件に加え、インセンティブ支援も見込める点から、光州を候補地として想定していると述べた。

Samsung Electronicsは西南圏でのメモリ生産に加え、事業ごとに拠点配置を進める方針も示した。高帯域幅メモリ（HBM）工場と半導体後工程は天安・温陽など忠清圏に集約する。

さらに、ヒューマノイドロボットとグループ内向けAIデータセンターは慶北・亀尾、全固体電池とエネルギー貯蔵装置（ESS）向け電池は慶南・蔚山、パッケージ基板は釜山、バイオは仁川・松島に配置する。次世代造船事業は慶南・巨済で継続する。

◆SKグループ、竜仁・清州・西南圏でメモリ投資拡大

チェ・テウォン会長は、SK hynixのメモリ増設計画を地域別に示した。DRAM増産に向けて竜仁に約600兆ウォン、NAND増産では清州に約100兆ウォンを投じる。

2045年の完工を見込んでいた竜仁クラスター計画は、12年前倒しで進める。あわせて、電力・工業用水・人材の確保が可能な西南圏に約400兆ウォンを投じ、新たなクラスターを造成する方針だ。

チェ会長は「メモリ半導体市場はすでに深刻な供給不足に陥っている。今後はさらに不足が深まる」と述べ、供給能力拡大の必要性を強調した。

SKグループは、AIデータセンターに約1000兆ウォン、半導体供給拡大に約1100兆ウォンを投じる計画だ。SK telecomを軸に、総容量15ギガワット（GW）のAIデータセンターを段階的に構築する。

第1段階では、電力と用地を確保した複数地域に計5GWを整備し、その後10GW分を追加して総容量15GWへ拡大する。今後10年間は、国内投資を年平均100兆ウォン超のペースで執行する方針も示した。

チェ会長は「AIを消費する国から、知能を輸出する国へ転換する」と語った。

今回公表された投資計画は、政府の半導体拠点戦略とも連動する。産業通商部は、首都圏と西南圏を生産拠点、忠清圏をパッケージング拠点、東南・大慶圏を素材・部品・装置の拠点と位置付け、全国を半導体クラスターとして再編する構想を示した。

西南圏向け投資だけを見ても、規模はさらに膨らむ可能性がある。チェ会長が示したSK hynixの西南圏新クラスター向け投資は400兆ウォン。これとは別に、政府は西南圏の「第2半導体生産基地」として、総額800兆ウォン規模の企業投資を示している。

この800兆ウォンがSamsung Electronics分として加われば、西南圏1地域だけで投資額が1000兆ウォンを超える可能性もある。イ・ジェヨン会長は候補地として光州を挙げたが、具体的な投資額には触れていない。

Samsung Electronicsの投資計画の全容が明らかになれば、西南圏全体の投資規模は一段と拡大するとの見方も出ている。

政策支援の具体化も進む。産業通商部は、首都圏の半導体生産能力を5年以内に2倍へ引き上げるとともに、2040年代中後半を想定していたファブ建設時期を2030年代半ばまで最大12年前倒しすると公表した。

次世代半導体には15年間で30兆ウォンを投じる。一方で、現行のファブ建設ペースのままでは、DRAMシェアが61％から50％へ低下する恐れがあるとの見方も示した。

気候エネルギー環境省は、西南圏の半導体工場に電力6.3GWと工業用水65万トン、竜仁地域に電力約15GWと工業用水150万トンを供給する方針を明らかにした。地域別電気料金制度の導入も検討する。

◆イ・ジェミョン大統領「生き残る道は速度戦」　政策を直轄

イ・ジェミョン大統領は冒頭発言で、「竜仁、平沢を中心とするサイトはすでに限界に達している」と述べ、その理由として電力と工業用水の不足を挙げた。そのうえで「生き残る道は速度戦だ」と強調し、半導体、フィジカルAI、AIデータセンターを「大跳躍のための三角軸」と位置付けた。

また、湖南地域が長く開発から取り残されてきたことが、結果として新たな機会になったとの認識も示した。「工業用水も豊富で、とりわけ再生可能エネルギーが豊富なのが西南海岸一帯だ」と述べ、企業が同地域を拠点候補に選んだ背景を説明した。

均衡発展と新たな半導体拠点への需要が重なる点で、今回の発表には特別な意味があるとも述べた。

政府の推進体制も整える。大統領は大統領府内に3大メガプロジェクトの専担組織を置き、事業を直接点検すると表明した。「迅速なワンストップ行政手続きは大統領が直接責任を負う」とも語った。

今年8月施行予定の半導体特別法を通じた、インフラ整備費への国費支援にも言及した。光州・全南地域については、統合支援金として5兆〜20兆ウォンのマッチングが可能との立場を示したと伝えられた。

大統領は「企業が損をせず、より良い見通しのもとで投資できるよう、政府の力を大々的に投入する」としたうえで、「3大メガプロジェクトの成果が、今後の大韓民国の20年、30年を担う」と強調した。