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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方
为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。
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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局：zHBM押注3D堆叠，HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力，Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM，以缓解数据搬运瓶颈；后者则联合SanDisk发布HBF首个标准，通过分层部署并互联不同类型存储，提升系统容量与整体效率。
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HBM供给接近瓶颈，存储赛道从拼带宽转向拼利用率
随着HBM扩产空间收窄、堆叠难度持续上升，仅靠提升带宽已难以满足AI服务器需求，行业竞争重心正转向提升现有内存资源利用率。CXL率先落地内存池化，PIM仍处于验证阶段；SK hynix与SanDisk则通过OCP发布HBF首个标准规格，分层内存架构正在加快成形。
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Industry
Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
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SK hynix与SanDisk发布首个HBF标准规范：容量最高512GB，带宽最高3.0TB/s
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FADU将赴美出席FMS 2026，聚焦AI存储与Gen6 SSD
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Finance
KB国民银行与Ops Networks签署关税ERP合作协议
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Mobility
Kakao Mobility提速E2E自动驾驶商业化落地
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Humax Mobility关联公司KIL232Jasper入选韩国数据代金券项目供给企业