搜索关键词 FMS
Industry
HBM供给接近瓶颈，存储赛道从拼带宽转向拼利用率
随着HBM扩产空间收窄、堆叠难度持续上升，仅靠提升带宽已难以满足AI服务器需求，行业竞争重心正转向提升现有内存资源利用率。CXL率先落地内存池化，PIM仍处于验证阶段；SK hynix与SanDisk则通过OCP发布HBF首个标准规格，分层内存架构正在加快成形。
Industry
Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构
Samsung Electronics在FMS 2026首次面向行业展示下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O，并公开400层以上V10 BV-NAND。公司表示，zHBM通过垂直堆叠缩短数据传输路径，采用zHBM的下一代接口系统性能最高可达HBM5的8倍，能效最高提升至3倍。
Industry
SK hynix与SanDisk发布首个HBF标准规范：容量最高512GB，带宽最高3.0TB/s
SK hynix与SanDisk在FMS 2026上联合发布高带宽闪存（HBF）首个标准规范。HBF定位于HBM与SSD之间，面向AI推理等场景兼顾高带宽与大容量。根据标准，产品提供8层和16层NAND die堆叠方案，容量最高512GB，带宽约为0.4TB/s至3.0TB/s，并采用UCIe接口，通过OCP公开发布以推动行业标准化。
