随着AI算力需求快速上升，存储带宽与容量压力同步加大，HBM之后的下一代存储方案也开始浮出水面。Samsung Electronics与SK hynix近日分别公布了各自的技术方向，但路线明显不同。

据业内消息，面对现有HBM在带宽和容量扩展上的瓶颈，两家公司已着手布局新方案。Samsung Electronics聚焦3D垂直堆叠，通过缩短存储与AI加速器之间的物理距离来降低数据搬运开销；SK hynix则选择将HBM与高带宽闪存（HBF）等不同类型存储分层部署并加以互联，以提升整机容量和运行效率。

Samsung Electronics推出的zHBM，改变了以往HBM与AI加速器（xPU）并排放置的封装方式，转而将HBM垂直堆叠在加速器上方。HBM本身是通过多层DRAM堆叠提升带宽的存储方案。Samsung Electronics表示，采用zHBM的接口系统，性能较HBM5最高可提升8倍，能效最高提升3倍，热阻则降至原来的一半以下。公司还同步展示了将硅通孔（TSV）引入V-NAND的“zNAND-O”，以及400层以上的第十代“V10 BV-NAND”。

SK hynix则与SanDisk联合发布了HBF的首个标准规格。与采用堆叠DRAM的HBM不同，HBF是以垂直堆叠NAND Flash构建的新型存储层，定位介于高速HBM与大容量SSD之间。该标准基于8层和16层NAND Die堆叠两种配置，定义了最高512GB容量，并设置三个带宽等级，支持0.4TB/s至3.0TB/s。处理器互联方面，HBF采用开放标准UCIe。相关规范已通过开放协作组织OCP公开，联盟成员包括Google与Tenstorrent。

◆ 从成熟HBM迈向新结构，背后直指“物理极限”

两家公司之所以调整技术路线，根本原因在于业界普遍认为，现有HBM架构已逐步逼近物理极限。Samsung Electronics DRAM开发部门负责人Kim Kyung-ryun在“FMS 2026”主题演讲中介绍3D架构“zHBM”时表示，客户对内存性能的要求已提升至10倍级别，而HBM4、HBM5等现有2.5D结构存在明显上限，进一步突破需要转向3D垂直堆叠。他指出，当加速器与存储处于同一平面时，数据往返路径更长，时间成本和功耗也会随之上升。

这一问题在美国举行的半导体设计会议“Hot Chips 2026”上也再次被提及。会上，HBM的功耗与可扩展性瓶颈被列为核心议题之一。业界普遍认为，HBM虽然已广泛应用于高性能计算，但在能效和容量扩展方面，传统设计已接近极限，后续必须依靠结构性创新。

Samsung Electronics在Hot Chips 2026的演讲中也披露了zHBM在能效方面的具体改善数据。公司以单颗GPU搭载4颗HBM为假设称，相较HBM4E，zHBM可将DRAM功耗降低100W。其原因在于取消了加速器与存储之间的串行信号转换（SERDES）结构，从而降低I/O功耗；节省下来的功耗可进一步转化为更高算力和更充裕的散热空间。

除技术瓶颈外，供给紧张也在推动架构调整。Kiwoom Securities预计，2027年HBM需求增速将达到56%，高于50%的供给增速，供需缺口将进一步扩大；与此同时，HBM4市场平均价格预计上涨65%。在性能提升越来越依赖“增加HBM搭载量”的背景下，供给与成本的双重约束正愈发突出。

这一变化已开始显现。Eugene Investment & Securities分析称，NVIDIA已下调下一代加速器Rubin Ultra的HBM搭载量，原因在于HBM供给无法匹配加速器产能规划。

SK hynix力推HBF，同样与这一趋势有关。对于AI生成答案时需要调用的临时数据，如果能够从成本更高的HBM下沉至NAND层级处理，系统便可在相同成本条件下处理更多数据。Eugene Investment & Securities认为，随着DRAM与HBM短缺加剧，这类数据迁移将持续扩大，并带动NAND需求同步增长。

由于技术路径不同，两家公司面临的挑战也并不相同。Samsung Electronics将存储直接堆叠在发热较高的加速器上方，因此散热和热管理压力更大。为此，公司采用了降低DRAM堆叠层数的设计，以区别于现有HBM方案。

相比之下，SK hynix更需要推动标准生态落地。合作方SanDisk已完成首颗HBF存储Die设计，并计划于2027年向客户提供面向AI推理的早期样品，随后在2027年初启动搭载该方案的企业级SSD量产。

此外，市场也出现了“DRAM将进一步走向定制化”的判断。Eugene Investment & Securities分析称，3D堆叠DRAM的开发趋势，可能推动DRAM由通用产品转向与特定半导体协同开发的定制产品。由于开发初期需要存储厂商深度参与，且一旦确定供应商后更换成本较高，未来具备特定芯片适配能力的可选供应商范围或将进一步缩小。