SK hynix与SanDisk联合发布了高带宽闪存（HBF）首个标准规范。SK hynix表示，公司在4日于美国圣克拉拉开幕的“FMS（Future of Memory and Storage）2026”上公布了相关标准内容。

HBF被视为介于高带宽内存（HBM）与SSD之间的新一代存储层。该技术旨在兼顾接近HBM的数据传输能力和基于NAND的大容量特性。随着AI推理应用加快扩展、数据处理规模持续上升，HBF因同时具备带宽与容量扩展优势而受到关注。

此次发布的标准，是SK hynix与SanDisk自去年8月启动标准化合作、并于今年2月成立联盟以来取得的首项成果。根据标准，HBF提供8层和16层NAND die堆叠方案，容量最高可达512GB；带宽则分为三个等级，范围约为0.4TB/s至3.0TB/s。

在接口方面，标准采用开放式芯粒互连接口UCIe，可实现不同半导体芯粒（chiplet）之间的高速连接，也便于与GPU、CPU等多类处理器灵活对接。相关规范已通过OCP（Open Compute Project）公开发布，以推动HBF进一步走向行业标准化。目前，HBF联盟成员包括Google和Tenstorrent。

FMS 2026首日（4日），SK hynix的Kim Cheon-seong（Solution开发负责人）和Kang Wook-seong（下一代产品规划负责人）将共同发表主题演讲。两人将以Agentic AI加速普及为背景展开讨论。所谓Agentic AI，是指在缺乏人工干预的情况下，系统能够自行设定目标并执行任务。SK hynix认为，面对这一趋势，仅依靠单一内存产品已难以满足需求，因此将提出以分层内存架构系统化连接不同特性内存的发展方向。

6日，SK hynix的Lim Eui-cheol（Solution AT负责人）将与Google DeepMind研究员Xiaoyu Ma、SanDisk副总裁Rajiv Nagavirala共同参加专题讨论，主题为“用HBF跨越内存墙”。与会者将重点讨论HBF在AI基础设施中的作用及其发展潜力。

在展区内，SK hynix还将首次展示正在开发中的第10代（V10）375层4D NAND晶圆及相关产品。与上一代相比，该产品能效提升2.5倍。公司计划于明年初启动基于该技术的高性能、大容量eSSD量产。Kim Cheon-seong表示，公司将借助HBF拓宽内存与存储之间的边界，推动能够提升系统整体效率的新架构落地。