Samsung Electronics在美国举行的FMS 2026上展示了面向AI基础设施的新一代3D存储技术，首次向行业公开zHBM和zNAND-O两项下一代3D存储架构，并亮相400层以上的V10 BV-NAND。

公司介绍，8月4日至6日（当地时间），其在美国加利福尼亚州圣克拉拉会议中心举行的“FMS（Future of Memory and Storage）2026”上设立了约20坪的AI云服务器主题展区，共展出约30款产品。

展会首日即8月4日11时40分（当地时间），Flash开发室副社长Lee Jin-yeob与DRAM开发室常务Kim Kyung-ryun发表题为《3D内存与存储架构创新》的主题演讲，提出以zHBM、zNAND-O等技术应对HPC和AI基础设施需求增长、提升AI系统性能与能效的技术方向。演讲期间，Samsung Electronics还首次公开了400层以上的V10 BV-NAND。

Samsung Electronics表示，随着大容量、高带宽内存需求持续上升，现有HBM方案已难以满足未来系统性能要求。zHBM是在现有HBM部署方式基础上的升级方案，不再将HBM置于AI加速器旁，而是采用位于AI加速器上方的垂直堆叠结构。

这一架构可显著缩短加速器与内存之间的数据传输路径，从而提升带宽表现和能效水平。按照Samsung Electronics的说法，采用zHBM的下一代接口系统，性能最高可达HBM5的8倍；由于传输路径缩短，能效最高可提升至3倍，热阻则可降低一半以上。

zNAND-O则是在现有V-NAND垂直堆叠技术基础上，结合TSV工艺打造的3D封装产品，可实现4层或8层芯片堆叠。该产品名称中的“O”意指针对端侧AI环境进行优化。

V10 BV-NAND通过晶圆键合和3-stack技术实现400层以上堆叠，集成度较上一代提高约58%。Samsung Electronics表示，这也是其自13年前在同一活动上首次推出V-NAND技术以来，相关技术积累的延续。

除上述新架构外，Samsung Electronics此次还展出了HBM4E、HBM5、LPDDR5X-PIM、PM1763等下一代内存和存储产品。公司称，在今年2月率先实现HBM4量产出货后，已于5月向客户全球首次提供HBM4E样品；本次展会上还公开了采用新型散热管理技术HPB（Heat Path Block）的HBM5模型。

Samsung Electronics强调，作为覆盖内存、逻辑、晶圆代工和封装的IDM企业，公司可提供从产品设计到量产的一体化支持，以缩短开发周期并优化性能和能效。