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AI & Enterprise
KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”
KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区，提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜（AFM）在纳米尺度验证了电荷传输过程，并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻，并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。
Games & Commerce
Coupang代理负责人Harold Rogers体验凌晨配送
Coupang 20日表示，代理负责人Harold Rogers已完成凌晨配送现场体验，以履行其在去年12月国会听证会上的承诺。3月19日20时30分至20日6时30分，Rogers在京畿道城南市中院区参与了凌晨配送全流程。Coupang称，今后将继续听取一线声音，持续改善配送人员的安全与工作条件。
Industry
KAIST研发新型BON隧穿层，突破3D V-NAND高密度集成瓶颈
KAIST表示，该校电气与电子工程系教授Byungjin Cho团队在3D V-NAND隧穿层中引入硼氧氮化物（BON），并设计出非对称能量势垒结构，在提升擦除效率的同时抑制存储电子泄漏，破解了高密度闪存中性能与可靠性难以兼顾的问题。实验显示，相关器件擦除速度最高提升23倍，在PLC条件下的电压状态控制精度提升超过3倍。
