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Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV

Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”，将推进12英寸光掩膜联合开发，并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本，同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。

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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方

为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。