Kioxia展示GP系列SSD方案，在512字节随机读取测试中超过2000万IOPS。图片来源：Kioxia

日本存储芯片厂商Kioxia展示了一项超高速SSD技术，其512字节随机读取性能超过2000万IOPS，较现有产品提升逾一倍，进一步布局AI数据中心高性能存储市场。

据TechRadar当地时间12日报道，Kioxia公布了GP系列增强版SSD方案。在512字节随机读取测试中，该方案的性能超过2000万IOPS，约为今年8月发布的GP1（约1000万IOPS）的两倍。

IOPS是衡量存储设备每秒可处理输入/输出操作次数的指标，数值越高，越适用于小块数据的高并发读写场景。

此次性能提升的核心在于第三代XL-FLASH。Kioxia称，相较上一代产品，其读取性能提升3倍，写入性能提升约150%。为此，该方案通过缩短内部连线、降低电信号延迟，并增加单颗存储芯片的Plane数量来提升整体性能。

Kioxia表示，这项技术将用于开发面向AI场景的存储方案，以便GPU能够更快访问海量数据。其目标并非完全取代DRAM或高带宽存储器（HBM），而是作为高速存储层，对内存容量形成补充。

现有GP1支持PCIe 6.0和NVMe 2.2，写入耐久度最高可达50 DWPD。不过，Kioxia尚未披露此次GP系列增强版的接口规格、耐久度及上市时间，目前仍停留在技术展示阶段。

除GP系列外，Kioxia还展示了面向数据中心大容量存储需求的LD4 SSD。该产品采用218层BiCS 8 QLC NAND闪存，提供15.36TB和30.72TB两个容量版本，最高可扩展至122.88TB。

目前，LD4已向部分客户提供评估样品，但实际读写速度和耐久度等具体参数尚未公开。随着AI基础设施持续扩张，存储行业围绕高性能与大容量的竞争也在进一步升温。

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