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Samsung Electronics与SK hynix推进LTA策略分化：一方提高覆盖率，一方保留现货弹性
Samsung Electronics与SK hynix正将存储芯片销售模式，从按季度或年度协商价格和供应量，转向多年期长期供货协议（LTA）。不过，两家公司在推进路径上出现分化：Samsung Electronics更强调提高LTA覆盖率，提前锁定价格与出货量；SK hynix则在供给仍偏紧的情况下，保留部分合约外供应量，以维持现货市场弹性。由于相关条款普遍不对外披露，市场最终仍将通过业绩表现和股东回报来检验两种策略。
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JEDEC上调HBM4封装厚度上限，Samsung Electronics与SK hynix重估HBM4混合键合导入时点
JEDEC将HBM4封装厚度上限从720μm上调至约775μm，为16层HBM4堆叠新增55μm空间，也使“HBM4必须导入混合键合”的行业判断出现变化。SK hynix更倾向继续沿用并升级MR-MUF工艺，以优先确保良率；Samsung Electronics则重新评估率先导入混合键合的必要性。受此影响，供应链中混合键合设备导入节奏有所后移，既有封装工艺及晶圆测试等检测设备订单则出现前置迹象。
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Samsung Electronics推出业界首款UFS 5.0，第四季度量产
Samsung Electronics宣布完成JEDEC最新内置存储标准UFS 5.0的开发，并称这是业界首款相关产品。该产品采用第9代V-NAND，顺序读取和写入速度最高分别达10.8GB/s和9.5GB/s，较UFS 4.1提升约一倍，最高提供1TB容量。公司计划于今年第四季度启动量产，并逐步将供货范围扩展至XR头显、AI可穿戴设备等终端。
