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Samsung Electronics推出业界首款UFS 5.0，第四季度量产
Samsung Electronics宣布完成JEDEC最新内置存储标准UFS 5.0的开发，并称这是业界首款相关产品。该产品采用第9代V-NAND，顺序读取和写入速度最高分别达10.8GB/s和9.5GB/s，较UFS 4.1提升约一倍，最高提供1TB容量。公司计划于今年第四季度启动量产，并逐步将供货范围扩展至XR头显、AI可穿戴设备等终端。
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Samsung Electronics率先量产并出货HBM4，预计2026年HBM营收较2025年增长3倍以上
Samsung Electronics宣布率先实现新一代高带宽存储器HBM4量产并出货。该产品传输速率达11.7Gbps，能效较上一代提升约40%，总带宽最高约3.3TB/s，容量覆盖24GB至36GB。公司预计，2026年HBM营收将较2025年增长3倍以上，并正提前扩充HBM4产能。
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HBM4迈向定制化，供应链透明度下降
随着HBM4转向面向特定客户的定制化方案，关键规格和开发进度更多只在客户与制造商之间共享，供应链透明度随之下降。与此同时，三方协同开发、合格判定标准差异以及库存调配空间收窄，正进一步放大市场对供给稳定性的关注。