SK hynix表示，内存竞争正从比拼容量和速度，转向比拼系统设计能力。9月9日，公司在利川园区SUPEX中心举行的“2026 SK hynix未来论坛”上，正式提出“全栈AI内存（Full-Stack AI Memory）”战略。

按照这一战略，SK hynix不再满足于单纯的存储器件供应角色，而是希望进一步深入AI系统设计环节，参与联合开发。公司提出，未来的核心方向在于两点：一是根据不同工作负载特性，组合应用3D堆叠DRAM、HBM、HBF等不同类型内存；二是与AI服务、软件、加速器等生态伙伴推进系统级共设计。SK hynix副社长 Lim Ui-cheol表示，公司目标是进化为“全栈AI内存创造者”。

这一转向的背景，是AI工作负载正在发生变化。SK hynix指出，随着AI演进至可自主设定目标并执行任务的Agentic AI阶段，系统需要记忆和管理的状态信息持续增加。由于不同数据在生命周期和访问方式上存在明显差异，单一通用型内存已越来越难以满足需求。尤其在多智能体和长时间运行场景扩大之际，容量、带宽以及存储层级方面的新瓶颈正进一步显现。

在技术路线上，3D集成被视为关键方向。SK hynix副社长 Kim Kyung-hoon与Son Ho-young在论坛上将3D技术分为两大类别：其一是器件垂直堆叠的集成方式，其二是将不同功能芯片分别制造后再整合的异构集成方式。论坛提出的重点方向包括提升数据总线带宽、实现超短距离传输，以及在DRAM外围电路中导入逻辑工艺能力。

Kim Kyung-hoon表示，要将3D堆叠DRAM真正推向产品化，除了设计优化，还必须同步解决散热、工艺复杂度等有别于传统方案的技术问题。

SK hynix同时指出，除了设计与散热，微细互连、键合以及工艺整合等先进封装难题，也将是后续落地过程中必须突破的关键环节。随着前道与后道之间，以及代工与内存之间的技术和业务边界不断趋于模糊，跨越既有分工体系的联合优化将成为必然选择。公司计划把此次论坛讨论形成的方向，进一步落实到各组织的具体任务中并推进执行。

Son Ho-young表示，3D技术正在重塑晶圆制造与封装之间的技术边界。在推动先进封装（Advanced PKG）创新的同时，建立跨越既有领域的联合优化机制和新的协作体系，也将变得愈发重要。