随着端侧AI加快向移动设备普及，存储性能竞争也在持续升温。Samsung Electronics于23日宣布，已率先完成JEDEC最新内置存储标准UFS（通用闪存存储）5.0的开发。
据介绍，这款产品采用Samsung Electronics第9代V-NAND，顺序读取速度最高可达10.8GB/s，顺序写入速度最高可达9.5GB/s。与UFS 4.1相比，读写性能均提升约一倍。
能效方面，Samsung Electronics通过引入时钟门控技术，减少未使用电路的无效工作，并采用多电压技术，针对不同电路施加最优电压，以进一步降低功耗。公司表示，与UFS 4.1相比，该产品能效提升超过40%。
在规格上，UFS 5.0封装尺寸为7.5mm×13mm×0.9mm，较前代缩小16.7%，最高提供1TB容量，并进一步提升终端设计灵活性。除智能手机外，该产品还可应用于XR（扩展现实）头显、AI可穿戴设备等产品。
Samsung Electronics计划自今年第四季度起启动UFS 5.0量产，并将率先面向旗舰智能手机供货，随后逐步扩大至XR头显、AI可穿戴设备等下一代终端。
Samsung Electronics存储业务部门产品企划团队负责人、Choi Jangseok表示，在端侧AI时代，存储已不再只是数据存放空间，而是决定AI体验的关键因素。Samsung Electronics将以业界首款UFS 5.0落地为契机，提出下一代移动存储新标准，并持续推动AI移动创新。
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Daegeon Seok
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