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SK hynix提出“全栈AI内存”战略 发力3D堆叠与系统级共设计
SK hynix在“2026 SK hynix未来论坛”上发布“全栈AI内存”战略，提出从单一存储器件供应商转向参与AI系统设计。公司称，随着Agentic AI推动容量、带宽和存储层级瓶颈加速显现，未来将围绕3D堆叠DRAM、HBM、HBF等产品进行按负载组合，并与生态伙伴开展系统级共设计。
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Samsung Electronics与SK hynix加码后HBM布局：zHBM押注3D堆叠，HBF主打分层部署与互联
随着AI算力需求持续推高带宽与容量压力，Samsung Electronics与SK hynix正分别探索后HBM时代的新路径。前者推出3D垂直堆叠方案zHBM，以缓解数据搬运瓶颈；后者则联合SanDisk发布HBF首个标准，通过分层部署并互联不同类型存储，提升系统容量与整体效率。
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Yuanjiwei发布2D半导体8英寸试产线规划：2029年前瞄准不依赖EUV设备实现5nm级性能
总部位于上海的半导体初创企业Yuanjiwei日前发布2D半导体8英寸试产线规划，称该产线覆盖2D材料制备、芯片集成到流片全流程，并提出到2029年实现不依赖EUV设备、性能达到5nm级的全国产工艺路线。
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Applied Materials推6款新设备，发力HBM与Chiplet良率提升
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Qualcomm发布“Dragonfly”数据中心产品线：涵盖C1000 CPU、AI推理加速器和HBC
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韩国半导体设计服务商加速转向AI芯片架构，项目单价与融资规模双升
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SK hynix评估重构长期供货协议：价格让位于供货保障
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半导体竞争焦点转向先进封装 2.5D/3D堆叠与芯粒成新战场
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Samsung Electronics将2nm代工订单目标提升逾130%，1.4nm拟于2029年量产
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Samsung Electronics四季度营收和营业利润创单季新高，DS部门贡献82%营业利润