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Applied Materials推出两款面向2nm及以下GAA制程的沉积系统
Applied Materials于4月14日发布两款针对2nm及以下GAA晶体管制程的沉积系统，分别用于保护浅沟槽隔离结构，以及实现对金属栅堆叠的原子级均匀控制。公司表示，GAA三维结构的成形涉及500多道工序，且多项步骤的工艺容差已接近原子级，新系统旨在提升芯片每瓦性能等表现。
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IBM与Lam Research扩大合作 共同推进1纳米以下制程研发
IBM与Lam Research签署为期5年的合作协议，将围绕1纳米以下制程联合开展研发。双方将依托纽约Albany Nanotech Complex的研发设施与设备，重点推进新材料、工艺创新和High-NA EUV光刻技术开发，并引入干法光刻胶、刻蚀和沉积相关技术与系统，以提升先进制程及复杂器件结构的研发能力。
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Applied Materials发布2nm及以下GAA工艺新方案，发力晶体管性能与能效提升
Applied Materials在首尔发布面向2nm及以下工艺的GAA技术方案，推出Viva自由基处理系统、Sym3 Z Magnum刻蚀系统和Centris Spectral钼ALD系统，重点提升纳米片原子级处理能力、晶体管性能及能效。公司表示，相关设备已被多家领先晶圆代工厂和逻辑芯片制造商采用。