搜索关键词 先进存储
Industry
Samsung Electronics加入ASML“大型掩膜联盟” 最早2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV
Samsung Electronics宣布加入ASML主导的“大型掩膜联盟”，将推进12英寸光掩膜联合开发，并计划最早于2028年把High NA EUV用于先进DRAM工艺。公司预计此举将有助于提升生产效率、降低制造成本，同时进一步深化双方在先进存储领域的合作。
AI & Enterprise
Sam Altman：认同韩国“全民AI”愿景，加大AI基础设施投入是关键
OpenAI首席执行官Sam Altman在旧金山举行的AI峰会上表示，认同韩国政府推动的“全民AI”愿景，并指出要实现这一目标，必须加大对AI基础设施的投入。其间，他与Lee Jae-myung总统举行单独会晤，并分别同SK、Samsung Electronics就HBM、DRAM及先进晶圆代工等合作交换意见。OpenAI也表示将进一步强化与韩国方面的战略合作。
AI & Enterprise
韩国与全球科技巨头签署6项9500亿美元AI合作协议 推进5GW级数据中心建设
韩国政府表示，韩国主要企业与全球科技巨头在旧金山AI峰会上签署6项合作协议。相关协议将带动总规模9500亿美元的半导体供应及生产合作，并推进5GW级AI数据中心建设。参与方包括Samsung Electronics、SK集团、Naver、Hyundai Motor Group，以及NVIDIA、Broadcom、OpenAI、Anthropic等企业。
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Industry
Samsung Electronics主打一站式“AI Factory”方案，争取承接TSMC外溢需求
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AI & Enterprise
Dell Technologies携手Samsung Electronics，赋能半导体AI工厂建设
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Industry
中国锚定2030年科技自主化目标，韩国半导体业机遇与压力并存
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Industry
Applied Materials与SK hynix启动长期联合研发合作，瞄准下一代DRAM和HBM
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Industry
美国半导体高关税压力持续：HBM等先进存储暂获豁免，Samsung Electronics、SK hynix面临追加投资压力
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Industry
欧洲半导体企业加快赴韩，在Samsung Electronics、SK hynix产线上开展量产验证