Samsung Electronics正进一步参与下一代半导体光刻标准生态建设。

公司8日表示，已加入由荷兰光刻设备厂商ASML主导的“大型掩膜联盟”，将联合开发下一代12英寸光掩膜，并计划最早于2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV设备。

光掩膜是光刻工艺中的核心材料之一，用于将精细电路图形转移到晶圆上，其精度会直接影响芯片性能和良率。所谓“大型掩膜联盟”，目标是推动行业从当前长期使用的6英寸掩膜向12英寸掩膜过渡。根据Samsung Electronics介绍，该联盟将共同跟踪光刻设备和光掩膜相关的全球技术趋势，并围绕联合研究和标准开发展开合作。

随着通过增大数值孔径提升分辨率的High NA EUV设备逐步导入，若同步切换至12英寸光掩膜，可减少分割曝光及拼接带来的工艺限制。Samsung Electronics表示，这有望提升生产效率，并降低芯片制造成本。

在芯片设计阶段，往往需要对数百亿个晶体管进行精密布局。Samsung Electronics认为，采用12英寸光掩膜将更有利于发挥High NA EUV的性能优势，从而提升生产的经济性。公司还表示，凭借其在存储和晶圆代工领域积累的EUV应用经验，有望在12英寸光掩膜切换过程中发挥重要作用。

与此同时，Samsung Electronics与ASML还将进一步加强合作，推进最早于2028年在先进DRAM工艺中导入High NA EUV。这也将成为业界首次尝试把该设备用于存储芯片制造。在晶圆代工之后，下一代光刻技术的应用范围正进一步扩展至先进存储领域。双方表示，今后还将继续探索在先进存储和创新制造方式等方面的新增合作机会。

Samsung Electronics副会长兼CEO Young Hyun Jun表示，AI时代的到来正在重塑半导体产业格局，也进一步凸显了价值链各环节技术创新的重要性。公司将依托创新技术和稳固的合作伙伴关系，持续巩固其在晶圆代工和存储领域的先进半导体制造竞争力，并进一步加强与ASML的合作，为“Next AI”夯实技术基础。

ASML CEO Christophe Fouquet表示，Samsung Electronics长期以来一直是ASML最重要的创新伙伴之一，双方共同推动了支撑现代半导体制造的关键技术进步。面向AI驱动的新阶段，期待与Samsung Electronics继续携手，引领下一代半导体制造创新。