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SK hynix发布iHBM技术：在HBM封装内嵌散热结构
SK hynix发布新一代HBM散热技术iHBM，将一体化冷却元件嵌入HBM封装内部，并在D2D PHY等高发热区域单独构建散热通道。公司表示，该结构可将热阻较现有方案降低30%以上，并可基于已验证的MR-MUF工艺导入量产，计划自HBM5等后续产品起逐步应用。
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CXMT加快HBM3量产布局，韩国存储厂商中低端利润承压
中国存储厂商CXMT正加快切入高带宽内存（HBM）市场，计划将约20%的总产能、即每月约6万片晶圆用于HBM3生产，并已向Huawei等中国AI芯片开发企业送样。尽管量产进度和良率仍存在不确定性，但其产能重新配置叠加低价策略，可能对HBM3及以下产品和通用DRAM市场带来新的价格压力，进而压缩韩国存储厂商中低端产品的利润空间。
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HBM4迈向定制化，供应链透明度下降
随着HBM4转向面向特定客户的定制化方案，关键规格和开发进度更多只在客户与制造商之间共享，供应链透明度随之下降。与此同时，三方协同开发、合格判定标准差异以及库存调配空间收窄，正进一步放大市场对供给稳定性的关注。
