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Samsung Electronics展示400层以上V10 BV-NAND，并公布zHBM与zNAND-O两项新架构

Samsung Electronics在FMS 2026首次面向行业展示下一代3D存储架构zHBM和zNAND-O，并公开400层以上V10 BV-NAND。公司表示，zHBM通过垂直堆叠缩短数据传输路径，采用zHBM的下一代接口系统性能最高可达HBM5的8倍，能效最高提升至3倍。

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SK hynix与十余家客户签署长期供货协议 继续磋商2027年HBM供货与定价

SK hynix表示，已与包括核心客户在内的十余家客户达成长期供货协议（LTA），合同期限通常为5年，并包含预付款等履约安排。公司同时正与主要客户就2027年HBM供货量和价格展开磋商。SK hynix预计，HBM及AI服务器用内存供需偏紧局面仍将持续，并正加快推进扩产及新产品量产。