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Industry
KAIST研发新型BON隧穿层，突破3D V-NAND高密度集成瓶颈
KAIST表示，该校电气与电子工程系教授Byungjin Cho团队在3D V-NAND隧穿层中引入硼氧氮化物（BON），并设计出非对称能量势垒结构，在提升擦除效率的同时抑制存储电子泄漏，破解了高密度闪存中性能与可靠性难以兼顾的问题。实验显示，相关器件擦除速度最高提升23倍，在PLC条件下的电压状态控制精度提升超过3倍。
Industry
韩国团队首次验证耐宇宙辐射AI半导体器件
韩国科学技术信息通信部与韩国原子能研究院19日表示，由韩国原子能研究院先进辐射研究所、忠北大学和比利时IMEC组成的联合研究团队，首次验证基于IGZO的突触晶体管在模拟宇宙辐射条件下仍可稳定运行。实验显示，该器件在接受33MeV质子照射后，依然保持开关特性和突触可塑性，在MNIST手写体识别仿真中准确率达到92.61%。
Telecommunications & Media
ETRI推出6G超精密感知技术：全球首创CUPPS通感一体化系统
韩国电子通信研究院（ETRI）宣布研发出全球首创的“通信辅助超精密、超低功耗感知系统（CUPPS）”技术，将通信与感知整合进同一系统。在6G通感一体化架构下，通信侧负责连接维持和感知时机控制，终端侧则通过超低功耗标签执行定位。外场测试显示，在强干扰环境中，多终端定位精度较5G RTT提高约350倍，终端功耗降低90%以上。
