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AI & Enterprise

KAIST开发二维半导体新结构 有望缓解接触电阻“电流瓶颈”

KAIST联合Sungkyunkwan University研究团队在二维材料PtSe₂单层薄膜中连续构建准金属区和半导体区，提出一种可减少界面电流阻滞的新结构。团队借助原子力显微镜（AFM）在纳米尺度验证了电荷传输过程，并确认在该结构中可通过电场稳定调控电流。该成果有望用于降低二维半导体器件接触电阻，并拓展至AI半导体、超低功耗半导体和下一代逻辑半导体研发。

Industry

Samsung Electronics在SAFE Forum 2026发布DTCO、2nm与SRAM技术路线图

Samsung Electronics 7月1日在首尔举行SAFE Forum 2026，向客户和合作伙伴披露下一代晶圆代工技术战略，重点介绍DTCO战略、2nm工艺规划以及SRAM技术强化路线图。活动吸引约400人到场，21家合作伙伴展示EDA、IP等支持方案，Rebellions与Siemens EDA也分享了基于Samsung Electronics晶圆代工工艺的AI芯片开发案例及2.5D/3D芯片设计支持方案。