Applied Materialsは10月7日、IntelとAI向け次世代半導体技術の開発で協業すると発表した。対象はトランジスタ、配線、先端パッケージで、シリコンバレーのEPICセンターとオレゴン州ヒルズボロにあるIntelの研究開発拠点を連携させ、開発から量産移行までの期間短縮を目指す。

協業の対象となるのは、AI向け先端ロジックノードに用いる次世代の材料、プロセス技術、デバイス構造だ。開発領域は、トランジスタ形成に関わるFEOL（Front-End-of-Line）から、配線形成に関わるBEOL（Back-End-of-Line）まで幅広く、配線の微細化も含む。Intelの3D積層パッケージ技術「Foveros」を基盤とする先端パッケージ開発も協業範囲に入る。

両社は、エージェンティックAIのワークロードに対応する高性能コンピューティング基盤の性能向上を主眼に据える。配線密度の向上に加え、電力供給と放熱性能の改善を重点課題とする。Applied Materialsは、EPICセンターについて年内に稼働準備を完了する予定としており、初期研究から大規模量産までに要する時間の短縮につなげる考えだ。

EPICセンターでは、チップメーカーがセキュアな環境でApplied Materialsの研究開発ポートフォリオを活用できる。これにより開発サイクルを短縮し、次世代技術の量産移行を前倒しできるとしている。共同イノベーションプログラムを通じて、Applied Materialsは複数のプロセスノードにまたがる需要動向を把握し、研究開発投資の方向性を定めて生産性向上につなげる考えだ。Intelは同センターの創設パートナーという。

Intelのリップ・ブー・タンCEOは「AIコンピューティング需要の拡大により、性能、電力効率、パッケージングの各分野で大幅な進展が求められている。Intelはエコシステム全体のパートナーと緊密に連携し、こうしたイノベーションの実現に注力している」と述べた。さらに「Applied Materialsは重要なパートナーであり、EPICセンターで協力を拡大することで、米国における研究段階から大量生産への移行を前倒しできることを期待している」と語った。

Applied Materialsのゲイリー・ディカーソン会長兼CEOは「Applied MaterialsとIntelは、半導体ロードマップの進化に向け、材料工学の限界を押し広げることに注力し、数十年にわたって緊密に協力してきた」とコメントした。その上で「EPICセンターで両社のチームが共同で取り組むことでパートナーシップをさらに強化し、AIコンピューティングの将来を支えるトランジスタ、配線、パッケージのイノベーションを加速する」と述べた。