Applied Materialsは10月2日、Besi（BE Semiconductor Industries）との戦略的パートナーシップを拡大すると発表した。BesiはApplied Materialsの研究開発拠点「EPICセンター」にイノベーションパートナーとして加わり、先端パッケージング分野での共同開発を広げる。AI向け3D ICの高密度化に加え、CPOやフォトニクス関連のインターコネクト技術の開発も進める。

今回の提携拡大は、2020年に始まった共同開発プログラムを土台とするもの。両社は新たなインターコネクト構造や適用領域へと協業範囲を広げる。

両社は、ウエハーレベルのハイブリッドボンディングからパネルレベルの集積まで、先端パッケージングに関わるプロセスと実装ソリューションを共同で最適化する。共同開発の成果を顧客がより早く活用できる体制を整える狙いだ。BesiのエンジニアはEPICセンターでApplied Materialsのチームと共同開発に取り組む。

協業の重点領域は、AIコンピューティングやメモリ関連用途を見据えた次世代3D ICのスケーリングと、ロジック・メモリの高密度統合だ。研究開発テーマには、シンガポールのCoEを拠点とする新たなダイ・ツー・ウエハー型ハイブリッドボンディングプラットフォームの開発、熱圧着ボンディング（TCB）と関連プロセスエコシステムのスケーリングが含まれる。

このほか、ダイ・オン・ウエハー、ダイ・オン・ダイ、ダイ・オン・パネルの各集積プラットフォームや、共同パッケージ光学（CPO）、AIシステムの拡張を支えるフォトニクス向けインターコネクト分野も協業対象とする。

Applied Materialsで半導体製品グループ社長を務めるプラブ・ラジャ氏は、「先端パッケージングは、もはや後工程の実装にとどまらず、前工程のウエハー製造と同等の精度とクリーン度が求められる材料工学の課題だ」とコメントした。その上で、「EPICセンターのような前工程のR&D環境でBesiのエンジニアと開発を進めることで、分断された個別工程ではなく、一連のフローとして技術を最適化できる」と説明した。さらに、「両社の顧客は共同最適化したソリューションをより早く導入でき、開発から量産までの期間短縮につながる」と述べた。

BesiのCEO兼取締役会議長であるリチャード・ブリックマン氏は、「シンガポールでApplied Materialsと共同運営してきたCoEは、Besiのハイブリッドボンディングのロードマップを支える基盤になった」とした上で、「Applied MaterialsのEPICセンターにイノベーションパートナーとして加わるのは、次の展開として自然な流れだ」と述べた。

その上で、先進的なロジック・メモリシステム企業と連携しながら、熱圧着ボンディングのスケーリング、ダイ・オン・パネル集積、次世代のAI・フォトニクスシステムを支えるインターコネクト技術の高度化を進める考えを示した。