AI需求正在改写存储市场的运行逻辑。业内预计，2026年第一季度通用DRAM合约价较上一季度将上涨90%至95%。即便价格快速走高，下游客户对涨价的接受度仍然较高，市场关注点也从价格本身转向锁定供应。长期以来，半导体行业大致遵循约4年的景气循环，即“需求上行—扩产—供给释放—价格回落”。但在AI驱动下，这一周期规律正出现明显变化。

从价格和业绩表现看，供需格局变化已开始反映到市场。TrendForce数据显示，2025年第四季度DRAM行业整体营收环比增长29.4%，达到535.8亿美元。同期，通用DRAM合约价上涨45%至50%，通用DRAM与高带宽内存（HBM）的混合合约价上涨50%至55%。

这一涨势在2026年第一季度仍在延续。TrendForce预计，当季通用DRAM合约价环比涨幅将进一步扩大至90%至95%。在价格继续上行的情况下，服务器客户仍倾向于接受进一步涨价并增加采购，以确保供货稳定。

需求端的变化是此轮行情的核心。过去，存储需求高度依赖PC和智能手机换机周期；如今，驱动逻辑已发生转变。TrendForce分析称，随着AI应用从大语言模型（LLM）训练向推理延伸，云服务提供商（CSP）的数据中心投资也从AI服务器扩大至通用服务器，从而带动更广泛的存储需求。

全球大型科技公司正在持续加码AI基础设施建设，这部分需求有望逐步摆脱传统“景气—衰退”周期，转向更长期的基础设施投入。Daishin Securities预计，2026年存储半导体市场规模将同比增长157%，达到5632亿美元；其同时指出，当前供需缺口率已扩大至历史高位，超过100个百分点。

与此同时，供给端短期内仍难以迅速跟上需求增长。以往在行业上行周期中，需求增加往往会带动新建工厂和扩产，待新增供给集中释放后，价格通常会快速回落。但在当前环境下，即便推进扩产，新增产出也难以在短期内明显释放。Daishin Securities指出，多项新建晶圆厂项目虽在推进，但产能贡献预计要到2027年上半年以后才会较为明显，洁净室资源不足也已成为直接瓶颈。

此外，HBM3E和HBM4等高带宽内存产品持续占用最先进制程产能，进一步挤压了通用DRAM的供应空间。叠加2D结构微缩接近极限、制程转换不确定性上升，未来因供给过剩而引发价格大幅下跌的可能性也在下降。

在供给相对受限的背景下，需求扩张正持续推升产品单价。出口数据也提供了支撑。Hanwha Investment & Securities表示，2026年1月至2月半导体出口同比增长131.1%，同期整体出口增量中，半导体贡献超过80%。通用DRAM、HBM和NAND Flash价格同步走强。业内普遍认为，尽管股价调整可能带来价格回落风险，但在AI需求韧性仍强、工艺门槛持续抬升的背景下，市场暂时无须过早担忧本轮行情见顶。

韩国存储股仍有上行空间，供需格局变化构成支撑

Samsung Electronics和SK hynix被视为这一轮供需环境变化的直接受益者。TrendForce数据显示，2025年第四季度，Samsung Electronics的DRAM营收环比增长43%，达到193亿美元，市场份额为36%，重新夺回第一。Daishin Securities预计，SK hynix 2026年HBM出货量将同比增长56%，达到192亿吉比特（Gb）；Samsung Electronics的HBM营收则将同比增长189%，达到24万亿韩元。

不过，市场也在关注潜在风险，包括中国CXMT推进今年上半年IPO，以及YMTC年内可能上市。投资者担忧，一旦行业景气再次转弱，中国厂商的市场份额扩张可能提速。在此之前，韩国存储厂商能否完成从周期股逻辑向结构性成长逻辑的转变，将成为影响估值抬升的重要变量。

基于这一判断，Samsung Electronics和SK hynix正加快从“周期驱动”向“长期成长”转型，供应链销售模式也在调整，从季度合约逐步转向3年至5年的长期供货协议，以提升业绩稳定性。以HBM为例，其销售机制更接近“先下单、后生产”的订单驱动模式，库存风险因此在结构上有所下降。Daishin Securities认为，这类变化“有助于减弱周期波动，并提升自由现金流的稳定性”。