存储芯片库存已降至阶段低位。DRAM库存目前仅约2至3周，NAND库存约6周，供应商和客户两端库存水位都处于偏紧状态。市场普遍预计，这一由供应商主导的卖方市场格局将延续至2026年一季度，而二季度之后，资本开支节奏将成为左右行业周期拐点的关键变量。

尽管供应端自去年10月起已基本维持满负荷运转，但紧张局面仍未明显缓解。Daishin Securities分析指出，现有可动用产能空间有限，库存难以在短期内迅速回补。与2017年至2018年上一轮超级周期相比，当前参与采购竞争的厂商更多，供需关系也更为紧绷，导致采购能力较强的大型客户才能获得相对充足的供货配额。

更关键的是，客户侧库存同样接近见底。对于服务器客户而言，即便希望提前备货、为通用服务器投资扩张做准备，也受到供给不足掣肘，采购难度明显上升。

整机厂商承受的压力更大。Daishin Securities表示，部分整机厂商库存已跌破正常水平，市场开始担忧其产品生产可能受到影响。

在供需持续偏紧的背景下，供应商正推动更强势的提价。2025年四季度，存储芯片价格按月快速上涨。Daishin Securities预计，2025年12月，部分客户已接受较上一季度上调70%的固定合约价格；同期，Samsung Electronics通用DRAM的ASP（平均销售价格）据测算环比上涨43%。

从订单端看，机构认为上述卖方市场格局大概率将延续至2026年一季度。Daishin Securities预计，2026年DRAM需求将同比增长30%以上，NAND需求增长20%；但从资本开支对应的供给增量看，2026年DRAM和NAND产量增速分别仅为20%和17%。该机构还指出，2026年DRAM三大原厂的产能已基本售罄。

◆卖方市场或延续，二季度后关注资本开支变化

随着时间推移，市场关注点正转向2026年二季度之后。在HBM（高带宽存储）持续占用产能的情况下，通用DRAM市场供需进一步收紧。若要改变这一局面，供应端需要增加资本开支并推动扩产。

不过，Daishin Securities同时提醒，若资本开支上调幅度过大，2027年可能出现产量快速释放的风险。按其梳理，2027年Micron Technology位于爱达荷州的1号工厂，以及SK hynix龙仁一期等两座新工厂都将开始投产。

对于Samsung Electronics，P4L（平泽4厂）P2至P3的产能配置预计将在2026年内完成；但如果相关投资从2027年起全面反映到供给端，供给过剩风险可能随之上升。Daishin Securities指出，从历史经验看，当“资本开支占营收比”（Capital Intensity）连续两年维持在30%出头以上时，行业往往更容易出现供给过剩。

供应商也已意识到这一风险。SK hynix在M15x仍保留追加投资空间，但计划在2026年仅执行约一半规模的投资，对应月产能为40K。Samsung Electronics则表示，将提前推进基础设施投资，但设备投资仍将根据行业景气情况决定。

Daishin Securities预计，如果当前相对克制的资本开支基调得以维持，通常被视为阶段性高点信号的“多重预订（Multi-booking）”现象短期内不易消退；反之，若在高需求预期下大幅上调资本开支，2027年下半年之后行业供需环境可能迅速恶化。