韩国政府正加快推进国防半导体国产化，并计划由政府与民间共同出资，建设化合物半导体研发制造基础设施。
韩国科学技术信息通信部30日在首尔El Tower举行“化合物半导体R&D共建共享Fab建设产学研论坛”。
本次活动由韩国纳米技术院主办、化合物半导体技术协议会承办。韩国科学技术信息通信部、防卫事业厅、军工企业、半导体材料、器件和设备企业，以及研究机构和高校等约60家单位、约120名相关人士参会。
化合物半导体具备高功率、高频等优势，是6G通信、航天航空等未来战略产业的重要技术基础。韩国政府今年7月发布《国防半导体国产化及产业生态构建战略》，提出推进国防半导体技术研发和本土制造能力建设。
韩国科学技术信息通信部表示，计划从明年起引入“投资型R&D”模式，推动设立由政府与民间共同出资的特殊目的公司（SPC）。根据这一构想，SPC将整合化合物半导体相关技术资源，并建设、运营作为研发制造基础设施的共建共享Fab。
论坛期间，与会各方围绕化合物半导体作为国家战略技术的重要性、国防半导体研发方向，以及R&D共建共享Fab建设方案等议题展开讨论。产学研专家还就共建共享Fab应优先布局的工艺和产品方向、所需政策支持，以及其与现有公共Fab和民间量产Fab之间的分工交换了意见。
韩国科学技术信息通信部研发政策室室长Kim Seong-su表示，掌握化合物半导体自主技术、夯实本土制造基础，是支撑国家安全和未来产业竞争力的关键任务；未来将着力构建产业生态，推动技术研发成果向民间量产转化。
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Jinho Lee
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