Samsung Electronics表示，存储业务目前仍处于需求强于供给的阶段。随着AI服务器持续拉动相关基础设施投资，HBM、RDIMM和服务器SSD等产品需求不断上升，而新建晶圆厂投产周期较长、HBM代际升级推高制造复杂度，供给端短期内仍难以完全跟上。

Samsung Electronics存储业务部门副社长Kim Jae-joon于10月29日在第三季度业绩电话会上表示，尽管公司持续推进扩产，但需求增速仍快于供给扩张速度。尤其是在Agentic AI应用落地提速的背景下，AI基础设施相关存储产品需求进一步走强。

公司预计，第四季度HBM、服务器DRAM和SSD的销售占比将进一步提升。Samsung Electronics称，随着新一代GPU和CPU陆续发布，相关配套存储需求同步增长；在NAND方面，随着个人AI Agent服务加快普及，QLC SSD订单需求也在明显增加。

对于供给持续偏紧的原因，Samsung Electronics认为，核心在于产能扩张落地速度慢于市场预期。公司判断，即便2027年行业资本开支（CAPEX）显著增加，相当一部分资金也将用于新增厂房空间和上升中的建设成本；从晶圆厂建设到实际投产仍需较长周期，因此难以在2028年前形成明显的新增产出。

与此同时，设备交付周期也在拉长。Samsung Electronics指出，HBM4E和HBM5的芯片面积更大，金属层数也有所增加；随着HBM与传统DRAM之间的产线切换比例上升，物理产能的增量将继续受到限制。这也意味着，HBM扩产越快，可分配给通用DRAM的产能就越少。

在供给持续紧张的背景下，第三季度存储产品价格整体继续上行。Samsung Electronics表示，以服务器应用为首，多类终端市场价格普遍上涨。第三季度，公司DRAM平均销售价格（ASP）环比上涨约20%，NAND ASP上涨约10%；同期比特出货量方面，DRAM增长个位数中低段，NAND增长个位数中段，整体呈现价格涨幅高于出货量增幅的态势。

对于第四季度，公司预计比特出货量将继续增长，其中DRAM增幅约为10%中后段，NAND增幅约为10%中段。

在各类存储产品中，HBM4对当季营收增量的贡献最为突出。第三季度，HBM4营收环比增长超过3倍，其在整体HBM营收中的占比已提升至约60%。Kim Jae-joon表示，这一表现与公司在上一次业绩电话会上提出的HBM4销售目标一致。

Samsung Electronics还表示，公司原定于今年下半年实现“HBM市场份额达到与整体DRAM市场份额相当水平”的目标，已于第三季度提前完成。与此同时，下一代HBM4E已于今年5月完成全球首次样品出货，客户在初期评估中的反馈较为积极。

在供需偏紧背景下，Samsung Electronics正通过合同方式提前锁定明年的供货规模。Kim Jae-joon称，面向2027年的HBM供货量，已在兼顾公司产品竞争力的目标价格水平上完成谈判，目前相关产能已处于“售罄”状态，主要客户追加增量的需求仍在持续提出。

供给紧张或持续至2028年，长期合同覆盖范围继续扩大

按计划，HBM4E将于明年上半年启动量产，并在下半年进一步扩大产量。在DRAM长期供货协议（LTA）方面，Samsung Electronics已与10家大型客户完成签约，并正与另外10家主要客户展开谈判。公司表示，签约客户覆盖的业务范围正从超大规模云服务商和服务器企业，逐步扩展至移动、汽车和网络设备等领域。

与此同时，按年度协商并以滚动方式延长合同期限的需求也明显高于公司预期。Samsung Electronics表示，到2030年将LTA占产能比重提升至60%至70%的目标，其实现路径已更加清晰。

公司进一步指出，综合多家市场研究机构的判断，即使到了2028年，存储市场供给偏紧的局面仍可能延续。

Samsung Electronics认为，接下来的关键变量在于，行业能否提供足够产能以匹配持续增长的需求。Kim Jae-joon表示，即便在现有合同期内，客户追加供货的需求也在不断出现，但公司当前可调配产能仍然有限，因此正从调整不同应用领域的产品组合等多个维度研究供给应对方案。与此同时，公司也强调，将优先落实洁净室空间，再根据需求变化灵活推进设备导入节奏。