SK hynix第三季度业绩创下新高，季度营收也首次突破100万亿韩元。

公司28日披露，2026年第三季度实现营收104.6155万亿韩元，营业利润83.3338万亿韩元，同比分别增长327.9%和632.1%。当季营业利润率达到80.0%。

与上一季度相比，营收较79.3187万亿韩元增长31.9%，营业利润较60.5426万亿韩元增长37.6%。无论营收还是营业利润，均刷新公司单季历史最高纪录。

今年前三季度，SK hynix累计营收为236.5105万亿韩元，同比增长267.7%；累计营业利润为181.4867万亿韩元，同比增长547.3%。

对于业绩增长原因，SK hynix表示，AI内存需求持续扩大，推动主要产品价格上行。DRAM方面，HBM4出货加快放量，服务器DDR5销量明显增加；NAND方面，321层TLC企业级eSSD销售持续扩大。

第三季度净利润为39.7756万亿韩元，较上一季度的93.9226万亿韩元下降57.7%。公司表示，这主要是因为持续经营业务税前利润由上一季度的122.7084万亿韩元降至50.7085万亿韩元，降幅为58.7%。

截至第三季度末，公司持有的现金及现金等价物为114.5万亿韩元，较上季度末增加26.5万亿韩元；借款规模则减少2.8万亿韩元至15.8万亿韩元，带动净现金增至98.7万亿韩元。

展望后市，SK hynix预计到2030年，全球内存市场需求仍将持续高于供给。公司认为，一方面先进制程技术难度不断提升，另一方面新增产能建设周期较长，都会对供给扩张形成制约。

在需求端，公司指出，AI投资主体正从少数企业进一步扩展至普通企业和国家层面，推动全球AI数据中心基础设施市场持续增长。

为应对供给趋紧，SK hynix计划年内把M15X产能提升至最大水平，以增加HBM4产出。公司预计，第四季度HBM4无论在出货量还是营收贡献上都将超过HBM3E，成为主力产品。

DRAM方面，公司将提升10纳米级第六代（1c）工艺的产出占比，并扩大DDR5及面向AI服务器的LPDDR5 SOCAMM销售。NAND方面，第四季度将把321层工艺在韩国生产基地中的占比提升至一半以上，进一步扩大eSSD供应。

为提高中长期需求可见度，公司也在扩大LTA（长期供货合同）覆盖范围。目前，SK hynix已与包括CSP（云服务提供商）在内的14家客户签订协议，锁定了相当于2027年至2028年总产能50%以上的订单规模。

公司预计，明年资本开支将明显高于今年，主要原因是韩国和海外基础设施投资将更加活跃，其中包括龙仁一期晶圆厂进入全面投产阶段。不过，公司表示，仍将综合客户需求、盈利能力和投资效率，灵活调整投资规模和节奏。

在股东回报方面，SK hynix表示，2026年股东回报规模约为100万亿韩元，其中现金分红不少于30万亿韩元，回购并注销库存股规模不少于60万亿韩元，以履行“返还50%以上FCF（自由现金流）”的承诺。

公司同时披露，第三季度每股分红为2万韩元，其中1万韩元反映业绩改善，另1万韩元为分享Kioxia投资成果的特别分红。

SK hynix方面表示，公司将继续依托稳健的内存需求增长和技术竞争力，保持稳定业绩，并持续与股东共享经营成果。