Qualcomm对旗舰移动平台的封装设计作出调整。公司在Snapdragon 8 Elite Extreme第六代上引入新的“偏移PoP”方案，将内存从SoC上方移至芯片一侧，以重构散热路径，目标是在高负载场景下延长峰值性能的维持时间。

当地时间9月23日，在美国夏威夷毛伊举行的Snapdragon Summit 2026移动圆桌上，Qualcomm高级副总裁、移动终端业务负责人Chris Patrick表示，更快将热量导出、让SoC维持更低温度，系统就能在最高性能区间停留更久。

Chris Patrick称，Qualcomm之所以强调持续性能，背景在于智能手机市场持续向高端化发展。即便在内存成本上升的阶段，各地区高端机型占比仍在扩大。基于这一趋势，Qualcomm不再试图用单一平台覆盖全部高端产品，而是转向“双旗舰”策略，推出两套旗舰平台。

在此背景下，Qualcomm需要为最顶级机型提供更持久的高性能释放能力。过去约10年，Qualcomm在8系平台上一直采用PoP（Package on Package）封装，将内存垂直堆叠在SoC上方。这种结构下，LPDDR5、LPDDR6等内存的布线无需经过主板，可直接在封装内部完成。

此次发布的Snapdragon 8 Elite Extreme第六代在封装结构上进行了调整：一方面扩大封装面积，另一方面采用将内存移至一侧的“偏移PoP”设计。内存侧移后，芯片上方可铺设导热材料，从而形成一条通往手机散热模组、热阻更低的传热路径。

Chris Patrick表示，通过这一设计，CPU、GPU等模块的热点温度可以进一步降低，整机也因此能够在更长时间内维持高性能运行。他将这颗芯片比作“赛车引擎”：日常功耗较低，但在需要时可以释放极高的峰值性能；而当峰值性能维持更久时，系统响应会更快，整体体验也会更流畅。

对于采用偏移PoP的手机厂商而言，散热结构需要做一定调整。原因在于，热量将同时向主板方向和内存上方方向传导，散热路径由此变为双通道。Chris Patrick表示，这并不意味着必须引入全新的散热技术，更多是系统设计上的小幅修改。

除封装变化外，两套平台在芯片内存配置上也存在差异。以Adreno高性能内存（HPM）容量为例，Snapdragon 8 Elite Extreme第六代为18MB，Snapdragon 8 Elite第六代为12MB。Chris Patrick称，游戏开发者正将HPM用于关键游戏功能的本地缓存；与此同时，Snapdragon 8 Elite Extreme第六代GPU还新增了矩阵加速能力。

在CPU方面，Qualcomm将最高性能的提升归因于微架构改进。针对外界有关“Oryon CPU Prime核心最高达到5GHz，或与转向2nm工艺有关”的观点，Chris Patrick回应称，跨代升级的核心驱动力来自显著的微架构演进，具体包括新的缓存结构FlexCache、SME引擎，以及核心间一致性互连接口等。

Qualcomm同时也在评估下一代封装路线。Chris Patrick表示，将内存直接放在芯片旁边在技术上可行，但这会改变手机内部布局，并挤占电池和相机模组空间。相比之下，偏移PoP带来的面积增量相对有限，更有利于保留电池空间。他补充说，PoP与偏移PoP并行的方案可能具备长期可行性，但公司仍会持续观察其他路径，为后续调整预留空间。

按照规划，Snapdragon 8 Elite与Snapdragon 8 Elite Extreme第六代预计将搭载于全球OEM厂商的旗舰机型。对于Samsung Electronics是否会采用相关平台，Chris Patrick表示，不便代替客户发言，但他也称“希望这次平台能继续合作”，并强调Samsung Electronics是移动行业“全球最强大的合作伙伴”之一。