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Samsung Electronics推出业界首款UFS 5.0，第四季度量产
Samsung Electronics宣布完成JEDEC最新内置存储标准UFS 5.0的开发，并称这是业界首款相关产品。该产品采用第9代V-NAND，顺序读取和写入速度最高分别达10.8GB/s和9.5GB/s，较UFS 4.1提升约一倍，最高提供1TB容量。公司计划于今年第四季度启动量产，并逐步将供货范围扩展至XR头显、AI可穿戴设备等终端。
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Samsung Electronics 2025年升至全球车载存储市场第一
据S&P Global Mobility数据，Samsung Electronics 2025年在全球车载存储市场的份额升至40%，较2024年的35%进一步扩大；Micron则由40%降至36%，市场排名因此改写。报告指出，Samsung Electronics在包括中国在内的重点市场持续扩张，加之自动驾驶和车载信息娱乐系统带动高容量、高性能存储需求增长，共同推升了其市场份额。
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HBM挤压通用内存供应收紧，IT设备“涨价降配”蔓延至手机、PC和游戏机
全球IT设备市场正出现更明显的“涨价降配”趋势，智能手机、笔记本、台式机和游戏设备均受到波及。随着SK hynix、Samsung Electronics、Micron将产能进一步向AI数据中心所需的HBM倾斜，DRAM和NAND等通用内存供应收紧。业内预计，内存价格未来至少两年难以明显回落，终端厂商则在利润承压下通过提价和下调配置向消费者转移成本。
