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ZEISS在韩国龙仁启用半导体创新中心 加码本地客户合作

ZEISS宣布在韩国京畿道龙仁启用“ZEISS半导体创新中心”。该中心面积约350平方米，配备光掩膜修复、高精度计量与检测解决方案，面向韩国客户在半导体量产和先进封装环节提供方案开发、工艺优化及验证支持，以缩短研发到导入应用的周期。

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MIT揭示全固态电池短路关键诱因：晶界电学失衡加剧锂枝晶生长

MIT与德国慕尼黑工业大学研究团队发现，全固态电池的短路风险可能与固态电解质晶界处的电学失衡有关，这一因素会加剧锂枝晶生长。研究人员借助AI和分析手段追踪晶界电流，并通过优化加工工艺降低损伤和能量损失，使样品电流密度较基准提升逾300%。不过，该成果目前仍停留在实验室阶段。