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Samsung Electronics布局zHBM：拟将HBM垂直堆叠于AI加速器上方
为重夺HBM主导权，Samsung Electronics正准备在推进HBM5的同时布局zHBM路线。该方案拟取消中介层，将HBM直接垂直堆叠在AI加速器上方，目标是较HBM4E实现带宽提升230%、功耗下降70%。不过，其商用进度仍取决于晶圆级混合键合的散热管理与良率表现，业内预计大规模量产时间或落在2028年至2029年。
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AMAT：AI芯片瓶颈不在算力，在数据移动，3D微缩成关键路径
AMAT表示，AI芯片性能提升的关键已不只是算力，更在于数据移动效率。面对“内存墙”带来的系统瓶颈，行业正围绕逻辑、DRAM、HBM及2.5D/3D封装全面推进3D微缩，并推动HBM堆叠由微凸点向混合键合演进。公司同时公布，2026财年第三财季营收为91.2亿美元，同比增长25%。
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AI芯片供应紧张延伸至硅晶圆，长期供货合同最长延至10年
AI芯片供应紧张正从HBM和基板进一步传导至硅晶圆环节。受300mm硅晶圆扩产有限、先进封装推高需求等因素影响，行业长期供货合同正由以往的3至5年延长至最长10年。为锁定供货量和价格，多家韩国存储厂商正提高5年以上长单及与扩产挂钩协议的比重。
