SK hynix ngày 7/8 cho biết sẽ xây thêm hai fab mới tại Yongin, tỉnh Gyeonggi, và Cheongju, tỉnh Chungcheong Bắc, với tổng vốn đầu tư khoảng 54,3 nghìn tỷ won. Kế hoạch này nhằm mở rộng năng lực sản xuất DRAM và NAND trong bối cảnh nhu cầu bộ nhớ cho AI tăng mạnh.

Theo nghị quyết Hội đồng quản trị (HĐQT) được thông qua cùng ngày, công ty sẽ đầu tư 35,2 nghìn tỷ won cho dự án Y2 tại Yongin và 19,1 nghìn tỷ won cho dự án M17 tại Cheongju. Trong đó, Y2 sẽ là cứ điểm sản xuất DRAM, còn M17 tập trung vào NAND.

SK hynix cho biết quyết định trên nằm trong lộ trình đầu tư trung và dài hạn đã công bố hồi tháng 6. Trước đó, hãng đặt kế hoạch đầu tư 600 nghìn tỷ won vào cụm bán dẫn tại Yongin và 100 nghìn tỷ won để mở rộng cơ sở sản xuất ở Cheongju.

Hiện công ty đang xây fab giai đoạn một tại Yongin, mang tên Y1, và đặt mục tiêu đưa phòng sạch đầu tiên vào hoạt động từ tháng 2 năm sau. Mốc hoàn thiện toàn bộ cụm, ban đầu dự kiến vào năm 2045, cũng đã được rút ngắn 12 năm xuống còn 2033.

Theo hãng nghiên cứu Omdia, nhu cầu DRAM và NAND trong giai đoạn từ năm ngoái đến năm 2030 được dự báo sẽ duy trì tốc độ tăng trưởng bình quân 19% mỗi năm ở cả hai thị trường.

SK hynix nhấn mạnh rằng trong kỷ nguyên AI, lợi thế cạnh tranh không chỉ nằm ở công nghệ mà còn ở khả năng cung ứng đúng thời điểm khách hàng cần. Công ty cho biết đã đưa ra quyết định đầu tư sau khi rà soát kỹ nhu cầu thị trường.

Tại Yongin, fab Y2 là nhà máy thứ hai trong tổng số bốn fab sẽ được xây dựng theo từng giai đoạn trong cụm. Nhà máy có tổng diện tích sàn 341 nghìn pyeong và sẽ đảm nhận vai trò cứ điểm sản xuất DRAM. Dự án dự kiến khởi công vào tháng 7 năm sau, còn phòng sạch đầu tiên sẽ được đưa vào vận hành từ tháng 6/2029.

Y2 sẽ sản xuất HBM, dòng bộ nhớ hiệu năng cao được xếp chồng nhiều lớp để tăng tốc xử lý dữ liệu, cùng các sản phẩm DRAM thế hệ mới. Khoản đầu tư cho dự án này sẽ được giải ngân theo từng giai đoạn đến tháng 10/2031.

SK hynix cho biết hạ tầng điện và nước cho giai đoạn một phục vụ vận hành Y2 hiện đã hoàn thành 99% và đang bước vào giai đoạn hoàn tất.

Ở mảng NAND, công ty nhận định nhu cầu đang tăng nhanh khi các dịch vụ AI được phổ cập mạnh hơn, đặc biệt ở phân khúc SSD doanh nghiệp. Nhu cầu đối với KV cache, tức bộ nhớ dùng để lưu và tái sử dụng các giá trị đã tính trong quá trình suy luận AI, cũng đang góp phần kéo tiêu thụ đi lên.

SK hynix lựa chọn Cheongju làm cứ điểm NAND mới vì đây là nơi có thể triển khai xây dựng fab nhanh nhất. Tại khuôn viên này, công ty đã vận hành các fab M11, M12 và M15 để sản xuất NAND, qua đó tạo thuận lợi cho việc liên kết với các nhà máy hiện hữu. Quỹ đất cùng hạ tầng điện và nước tại đây cũng đã được chuẩn bị ở mức đáng kể.

Fab M17 có tổng diện tích sàn 206 nghìn pyeong và dự kiến khởi công vào tháng 2 năm sau. Thời gian đầu tư cho dự án kéo dài đến tháng 4/2031 và sẽ được triển khai theo từng giai đoạn phù hợp với tiến độ chung.

Công ty cho biết sẽ chủ động chuẩn bị hạ tầng sản xuất dựa trên nhu cầu trung và dài hạn, nhưng việc mở rộng công suất thực tế sẽ được điều chỉnh theo đúng thời điểm khách hàng cần. Kế hoạch mở rộng phòng sạch và đưa thiết bị vào vận hành cũng sẽ được thực hiện tuần tự theo diễn biến nhu cầu thị trường.

Đại diện SK hynix cho biết khoản đầu tư lần này nhằm giúp công ty không bỏ lỡ cơ hội tăng trưởng của thị trường. Hãng đặt mục tiêu trở thành đối tác chủ chốt trong hạ tầng AI và góp phần ổn định chuỗi cung ứng bán dẫn AI toàn cầu thông qua việc chủ động xây dựng nền tảng sản xuất.