Samsung Electronics vừa giới thiệu loạt công nghệ bộ nhớ 3D thế hệ mới tại FMS 2026, trong bối cảnh nhu cầu mở rộng hạ tầng trí tuệ nhân tạo (AI) và điện toán hiệu năng cao (HPC) tiếp tục tăng. Điểm nhấn của lần ra mắt này là zHBM, zNAND-O và V10 BV-NAND với hơn 400 lớp.

Ngày 4/8, Samsung Electronics cho biết đã lần đầu giới thiệu các kiến trúc bộ nhớ 3D mới nói trên tại FMS 2026, diễn ra từ ngày 4 đến 6/8 theo giờ địa phương tại Trung tâm Hội nghị Santa Clara, bang California, Mỹ.

Tại sự kiện, hãng vận hành khu trưng bày rộng khoảng 20 pyeong với gian hàng mô phỏng máy chủ đám mây phục vụ AI, đồng thời giới thiệu khoảng 30 sản phẩm. Vào lúc 11h40 ngày 4/8 theo giờ địa phương, Phó chủ tịch Lee Jin-yeob, phụ trách phát triển Flash, cùng Giám đốc điều hành Kim Kyeong-ryun, phụ trách phát triển DRAM, đã trình bày bài phát biểu chính về đổi mới kiến trúc bộ nhớ và lưu trữ 3D.

Theo Samsung Electronics, hai lãnh đạo đã giới thiệu tầm nhìn công nghệ xoay quanh zHBM và zNAND-O nhằm đáp ứng nhu cầu ngày càng lớn từ hạ tầng AI và HPC, đồng thời cải thiện hiệu năng cũng như hiệu suất năng lượng của hệ thống AI. Cũng tại đây, hãng lần đầu công bố V10 BV-NAND với số lớp vượt mốc 400.

Samsung Electronics cho rằng khi nhu cầu về bộ nhớ dung lượng lớn và băng thông cao tăng mạnh, HBM truyền thống đang bộc lộ những giới hạn trong việc đáp ứng yêu cầu hiệu năng trong tương lai. Với zHBM, thay vì đặt HBM bên cạnh AI accelerator như trước, bộ nhớ sẽ được xếp chồng theo phương thẳng đứng phía trên bộ tăng tốc AI.

Thiết kế này giúp rút ngắn quãng đường truyền dữ liệu giữa bộ tăng tốc và bộ nhớ, qua đó tăng băng thông và cải thiện hiệu suất năng lượng. Samsung Electronics cho biết hệ thống thế hệ mới ứng dụng zHBM có thể đạt hiệu năng cao gấp tối đa 8 lần so với HBM5. Nhờ khoảng cách truyền dẫn ngắn hơn, hiệu suất năng lượng tăng tối đa 3 lần, trong khi nhiệt trở giảm hơn một nửa.

Trong khi đó, zNAND-O là giải pháp đóng gói 3D tích hợp 4 hoặc 8 chip bán dẫn, kết hợp kỹ thuật xếp chồng theo chiều dọc của V-NAND với công nghệ TSV. Ở cấu trúc này, ô nhớ và mạch ngoại vi được chế tạo riêng rồi liên kết theo phương thẳng đứng. Samsung Electronics cho biết ký tự “-O” trong tên sản phẩm thể hiện định hướng tối ưu cho môi trường AI on-device.

Với V10 BV-NAND, hãng áp dụng công nghệ wafer bonding cùng cấu trúc 3 stack để vượt mốc 400 lớp. Mật độ tích hợp nhờ đó tăng khoảng 58% so với thế hệ trước. Samsung Electronics cho biết đây là bước phát triển tiếp nối thành tựu của hãng sau khi lần đầu công bố công nghệ V-NAND tại chính sự kiện này cách đây 13 năm.

Bên cạnh đó, Samsung Electronics cũng trưng bày danh mục bộ nhớ và lưu trữ thế hệ mới, gồm HBM4E, HBM5, LPDDR5X-PIM và PM1763. Sau khi bắt đầu sản xuất hàng loạt HBM4 đầu tiên trong ngành vào tháng 2, đến tháng 5 hãng đã cung cấp mẫu HBM4E cho khách hàng, cũng là lần đầu trên thế giới.

Tại FMS 2026, Samsung Electronics tiếp tục giới thiệu mô hình HBM5 tích hợp công nghệ quản lý nhiệt mới HPB (Heat Path Block). Hãng nhấn mạnh lợi thế của một doanh nghiệp IDM với khả năng cung cấp one-stop solution bao phủ bộ nhớ, logic, foundry và packaging, hỗ trợ tích hợp từ khâu thiết kế đến sản xuất hàng loạt nhằm rút ngắn thời gian phát triển, đồng thời tối ưu hiệu năng và hiệu suất năng lượng.