SK hynix ngày 4/8 cho biết đã công bố đặc tả đầu tiên của high bandwidth flash (HBF), công nghệ do hãng phát triển cùng SanDisk, tại FMS (Future of Memory and Storage) 2026 khai mạc ở Santa Clara, Mỹ.

HBF được định vị là lớp bộ nhớ mới nằm giữa high bandwidth memory (HBM) và SSD. Công nghệ này hướng tới kết hợp tốc độ truyền dữ liệu cao của HBM với lợi thế dung lượng lớn của NAND. Trong bối cảnh nhu cầu AI suy luận tăng nhanh, kéo theo lượng dữ liệu xử lý ngày càng lớn, HBF được chú ý như một phương án mở rộng đồng thời băng thông và dung lượng.

Theo SK hynix, đây là kết quả đầu tiên sau khoảng 6 tháng kể từ khi hãng và SanDisk thành lập liên minh (consortium) vào tháng 2, tiếp nối thỏa thuận hợp tác tiêu chuẩn hóa được ký từ tháng 8 năm ngoái. Về dung lượng, đặc tả mới hỗ trợ tối đa 512GB với hai cấu hình chồng 8 die và 16 die NAND. Về băng thông, chuẩn này được chia thành ba cấp, cho phép triển khai từ khoảng 0,4 TB/s đến 3,0 TB/s.

Đặc tả HBF cũng sử dụng UCIe, chuẩn giao diện mở cho kết nối tốc độ cao giữa các chiplet, qua đó tăng tính linh hoạt khi liên kết với nhiều bộ xử lý như GPU và CPU. SK hynix cho biết đặc tả này đã được công bố thông qua OCP (Open Compute Project) nhằm thúc đẩy HBF trở thành chuẩn chung của ngành. Hiện consortium HBF có sự tham gia của Google và Tenstorrent.

Trong ngày khai mạc FMS 2026, Kim Cheon-seong, người đứng đầu bộ phận phát triển giải pháp, cùng Kang Wook-seong, phụ trách hoạch định sản phẩm thế hệ mới, sẽ đồng trình bày keynote. Hai diễn giả dự kiến đề xuất định hướng kiến trúc dựa trên bộ nhớ phân tầng, liên kết một cách có hệ thống các loại bộ nhớ có đặc tính khác nhau, trong bối cảnh agentic AI ngày càng phổ biến và một sản phẩm bộ nhớ đơn lẻ khó đáp ứng toàn bộ nhu cầu.

Đến ngày 6/8, Lim Eui-cheol, phụ trách Solution AT, nhà nghiên cứu Xiao Yu Ma của Google DeepMind và Phó chủ tịch Rajiv Nagabhirava của SanDisk sẽ tham gia một phiên thảo luận với chủ đề “Vượt qua bức tường bộ nhớ với HBF”. Phiên này tập trung vào vai trò và tiềm năng của HBF trong hạ tầng AI.

Tại khu trưng bày, SK hynix cũng lần đầu giới thiệu wafer và sản phẩm NAND 4D 375 lớp thế hệ thứ 10 (V10) đang được phát triển. Công ty cho biết nền tảng này có hiệu năng trên mỗi watt cao gấp 2,5 lần thế hệ trước và dự kiến bắt đầu sản xuất hàng loạt eSSD hiệu năng cao, dung lượng lớn dựa trên công nghệ này vào đầu năm sau.

Kim Cheon-seong cho biết SK hynix sẽ tiếp tục mở rộng ranh giới giữa bộ nhớ và lưu trữ thông qua HBF, qua đó góp phần hiện thực hóa kiến trúc mới nhằm nâng hiệu quả vận hành tổng thể của hệ thống.