[디지털투데이 AI리포터] 네덜란드 기술 기업 ASML이 최근 인텔에 고해상도 극자외선(High-NA EUV) 리소그래피 장비인 'EXE - 5000'을 공급했다고 31일(현지시간) IT매체 폰아레나가 전했다.

0.55 개구수(NA) 렌즈를 장착한 ASML의 EXE - 5000는 현재 장비의 해상도인 13나노미터(nm)가 아닌 8나노의 해상도를 제공해 트랜지스터를 1.7배 더 작게 인쇄할 수 있다. 즉 한 번의 노출만으로 트랜지스터 밀도를 2.9배 더 높일 수 있으며, 시간당 185개의 웨이퍼를 인쇄할 수 있을 것으로 보인다.

EXE - 5000는 2나노 이하의 공정 노드로, 칩 생산의 다음 단계로 나아갈 수 있게 해줄 거란 기대를 받고 있다.

현재의 저나노 EUV 장비는 이중 패터닝을 사용해 두번의 노광을 거쳐야만 동일한 해상도를 얻을 수 있다. 그러나 이중 패터닝에는 생산 시간이 길어지고 결함이 발생할 위험이 높아지는 등의 위험이 있다.

중국 최고 투자은행 차이나 르네상스는 "TSMC은 아직 차세대 리소 그래피로 전환할 준비가 되지 않았다"고 지적했다. 차이나 르세상스가 말하는 차세대 리소 그래피는 ASML의 EXE - 5000과 같은 고해상도 EUV 장비다.

TSMC는 세계 최대 반도체 파운드리 업체로서 애플 아이폰15와 아이폰15 프로 맥스에 사용되는 M3 칩을 제조한 회사다. 그러나 M3 칩 제조에 쓰인 TSMC의 N3B 공정 노드는 이중 패터닝에 의존하는 것으로 추정된다. 

이는 결국 TSMC 역시 고해상도 EUV로 전환하는 데 필요한 투자를 시작해야하는 것을 시사한다. 이에 매체는 일찍 투자를 시작할수록 2025년에 2나노 생산을 시작하고 2027년에 1.4나노 생산으로 전환하고자 하는 TSMC가 그 시기를 앞당길 수도 있다고 전망했다.